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1. (WO2019005157) PERPENDICULAR SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY (PSTTM) DEVICES WITH ENHANCED STABILITY AND HIGH TUNNELING MAGNETORESISTANCE RATIO AND METHODS TO FORM THE SAME
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№ de pub.: WO/2019/005157 № do pedido internacional: PCT/US2017/040496
Data de publicação: 03.01.2019 Data de depósito internacional: 30.06.2017
CIP:
H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
43
Dispositivos usando efeitos galvanomagnéticos ou efeitos magnéticos similares; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou o tratamento desses dispositivos ou de suas partes
10
Seleção de materiais
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
43
Dispositivos usando efeitos galvanomagnéticos ou efeitos magnéticos similares; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou o tratamento desses dispositivos ou de suas partes
08
Resistores controlados por campo magnético
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
43
Dispositivos usando efeitos galvanomagnéticos ou efeitos magnéticos similares; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou o tratamento desses dispositivos ou de suas partes
12
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou o tratamento desses dispositivos ou de suas partes
Requerentes:
WIEGAND, Christopher J. [US/US]; US
RAHMAN, Tofizur [BD/US]; US
OUELLETTE, Daniel G. [US/US]; US
SMITH, Angeline K. [US/US]; US
BROCKMAN, Justin S. [US/US]; US
O'BRIEN, Kevin P. [US/US]; US
OGUZ, Kaan [TR/US]; US
DOCZY, Mark L. [US/US]; US
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US
GOLONZKA, Oleg [US/US]; US
ALZATE VINASCO, Juan G. [CO/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventores:
WIEGAND, Christopher J.; US
RAHMAN, Tofizur; US
OUELLETTE, Daniel G.; US
SMITH, Angeline K.; US
BROCKMAN, Justin S.; US
O'BRIEN, Kevin P.; US
OGUZ, Kaan; US
DOCZY, Mark L.; US
DOYLE, Brian S.; US
GOLONZKA, Oleg; US
ALZATE VINASCO, Juan G.; US
Mandatário:
BRASK, Justin, K.; US
Dados da prioridade:
Título (EN) PERPENDICULAR SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY (PSTTM) DEVICES WITH ENHANCED STABILITY AND HIGH TUNNELING MAGNETORESISTANCE RATIO AND METHODS TO FORM THE SAME
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE DE COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN PERPENDICULAIRE (PSTTM) À STABILITÉ AMÉLIORÉE ET À TAUX DE MAGNÉTORÉSISTANCE ÉLEVÉE À EFFET TUNNEL, ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
Resumo:
(EN) A memory device includes a bottom electrode disposed above a substrate, a fixed magnet disposed above the bottom electrode, a tunnel barrier including a magnesium oxide disposed on the fixed magnet, a free magnet on the tunnel barrier, a cap oxide layer disposed on the free magnet, a follower magnet disposed on the oxide layer and a metallic cap disposed on the follower magnet. The metallic cap includes a metal such as Hf, W and Ta and further includes a trace amounts of an inert gas. One or more conductive nano-channels extend from the metallic cap through the free magnet and into the oxide layer, where each of the one or more conductive nano-channels include the material of the metallic cap. The memory device further includes an etch stop layer disposed on the metallic cap and a top electrode disposed on the etch stop layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire qui comprend une électrode inférieure, disposée au-dessus d'un substrat, un aimant fixe, disposé au-dessus de l'électrode inférieure, une barrière tunnel, comprenant un oxyde de magnésium disposé sur l'aimant fixe, un aimant libre sur la barrière tunnel, une couche d'oxyde de couverture, disposée sur l'aimant libre, un aimant suiveur, disposé sur la couche d'oxyde et un capuchon métallique, disposé sur l'aimant suiveur. Le capuchon métallique comprend un métal tel que Hf, W et Ta et comprend en outre des quantités à l'état de trace d'un gaz inerte. Un ou plusieurs nanocanaux conducteurs s'étendent à partir du capuchon métallique à travers l'aimant libre et dans la couche d'oxyde, chacun du ou des nanocanaux conducteurs comprenant le matériau du capuchon métallique. Le dispositif de mémoire comprend en outre une couche d'arrêt de gravure, disposée sur le capuchon métallique, et une électrode supérieure, disposée sur la couche d'arrêt de gravure.
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Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)