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1. (WO2018234233) FILM RESISTOR AND THIN-FILM SENSOR
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№ de pub.: WO/2018/234233 № do pedido internacional: PCT/EP2018/066099
Data de publicação: 27.12.2018 Data de depósito internacional: 18.06.2018
CIP:
G01L 9/06 (2006.01) ,G01L 1/18 (2006.01) ,H01C 17/065 (2006.01)
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
L
MEDIÇÃO DA FORÇA, TENSÃO, TORQUE, TRABALHO, POTÊNCIA MECÂNICA, EFICIÊNCIA MECÂNICA, OU PRESSÃO DOS FLUIDOS
9
Medição da pressão estática ou quase estática de um fluido ou de um material sólido fluente por meio de elementos elétricos ou magnéticos sensíveis à pressão; Transmissão ou indicação do deslocamento de elementos mecânicos sensíveis à pressão utilizados, medição da pressão estática ou quase estática de um fluido ou de um material sólido fluente, por meios elétricos ou magnéticos
02
pelo uso de variações da resistência ôhmica, p. ex., de potenciômetro
06
de dispositivos piezoresistivos
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
L
MEDIÇÃO DA FORÇA, TENSÃO, TORQUE, TRABALHO, POTÊNCIA MECÂNICA, EFICIÊNCIA MECÂNICA, OU PRESSÃO DOS FLUIDOS
1
Medição de força ou tensão, em geral
18
usando propriedades de materiais piezoresistivos, i.e. materiais cuja resistência ôhmica varia de acordo com as mudanças da magnitude ou direção da força aplicada ao material
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
C
RESISTORES
17
Aparelhos ou processos especialmente adaptados à fabricação de resistores
06
adaptados para depositar o material resistor como um revestimento sobre um elemento de base
065
técnicas de película espessa, p. ex.,serigrafia
Requerentes:
TDK ELECTRONICS AG [DE/DE]; Rosenheimer Str. 141 e 81671 München, DE
Inventores:
MILKE, Bettina; DE
OSTRICK, Bernhard; DE
Mandatário:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Dados da prioridade:
10 2017 113 401.819.06.2017DE
Título (EN) FILM RESISTOR AND THIN-FILM SENSOR
(FR) RÉSISTANCE À COUCHE ET CAPTEUR À COUCHE MINCE
(DE) SCHICHTWIDERSTAND UND DÜNNFILMSENSOR
Resumo:
(EN) The invention relates to a film resistor comprising a piezoresistive layer, the piezoresistive layer containing a first transition metal carbide. Further disclosed is a thin-film sensor comprising the film resistor.
(FR) L'invention concerne une résistance à couche qui présente une couche piézorésistive, ladite couche piézorésistive contenant un premier carbure de métal de transition. L'invention concerne en outre un capteur à couche mince comportant ladite résistance à couche.
(DE) Es wird ein Schichtwiderstand angegeben, der eine piezioresistive Schicht aufweist, wobei die piezoresistive Schicht ein erstes Übergangsmetallcarbid enthält. Weiterhin wird ein Dünnfilmsensor aufweisend den Schichtwiderstand angegeben.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: alemão (DE)
Língua de depósito: alemão (DE)