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1. (WO2018226284) ULTRA-LOW POWER MAGNETOELECTRIC MAGNETIC FIELD SENSOR
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№ de pub.: WO/2018/226284 № do pedido internacional: PCT/US2018/022145
Data de publicação: 13.12.2018 Data de depósito internacional: 13.03.2018
CIP:
G01R 33/032 (2006.01) ,G01R 33/18 (2006.01) ,G01R 33/00 (2006.01)
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
R
MEDIÇÃO DE VARIÁVEIS ELÉTRICAS; MEDIÇÃO DE VARIÁVEIS MAGNÉTICAS
33
Disposições ou instrumentos para a medição de variáveis magnéticas
02
Medição da direção ou da intensidade de campos magnéticos ou do fluxo magnético
032
usando dispositivos magneto-ópticos, p. ex., Faraday
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
R
MEDIÇÃO DE VARIÁVEIS ELÉTRICAS; MEDIÇÃO DE VARIÁVEIS MAGNÉTICAS
33
Disposições ou instrumentos para a medição de variáveis magnéticas
12
Medição das propriedades magnéticas de artigos ou espécimes de sólidos ou fluidos
18
Medição das propriedades magnetostritivas
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
R
MEDIÇÃO DE VARIÁVEIS ELÉTRICAS; MEDIÇÃO DE VARIÁVEIS MAGNÉTICAS
33
Disposições ou instrumentos para a medição de variáveis magnéticas
Requerentes:
THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE NAVY [US/US]; Naval Research Laboratory 875 North Randolph Street, Suite 1425 Arlington, VA 22203, US
CARNEGIE MELLON UNIVERSITY; 5000 Forbes Avenue Pittsburgh, PA 15213, US
Inventores:
FINKEL, Peter; US
BENNETT, Steven, P.; US
STARUCH, Margo; US
BUSSMANN, Konrad; US
BALDWIN, Jeffrey, W.; US
MATIS, Bernard, R.; US
LACOMB, Ronald; US
ZAPPONE, William; US
LACOMB, Julie; US
METZLER, Meredith; US
GOTTRON, Norman; US
Mandatário:
BROOME, Kerry, L.; US
Dados da prioridade:
62/470,48913.03.2017US
Título (EN) ULTRA-LOW POWER MAGNETOELECTRIC MAGNETIC FIELD SENSOR
(FR) CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE MAGNÉTOÉLECTRIQUE À ULTRA-FAIBLE PUISSANCE
Resumo:
(EN) A high-sensitivity and ultra-low power consumption magnetic sensor using a magnetoelectric (ME) composite comprising of magnetostrictive and piezoelectric layers. This sensor exploits the magnetically driven resonance shift of a free-standing magnetoelectric micro-beam resonator. Also disclosed is the related method for making an on-chip micro-resonator magnetic sensor.
(FR) L'invention concerne un capteur magnétique à haute sensibilité et à ultra-faible consommation de puissance utilisant un composite magnétoélectrique (ME) comprenant des couches magnétostrictives et piézoélectriques. Ledit capteur exploite le décalage de résonance à guidage magnétique d'un résonateur à micro-faisceau magnétoélectrique autonome. L'invention concerne également le procédé de fabrication associé d'un capteur magnétique de micro-résonateur sur puce.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)