Algum conteúdo deste aplicativo está indisponível no momento.
Se esta situação persistir, por favor entre em contato conoscoFale conosco & Contato
1. (WO2018193938) HEAT TREATMENT DEVICE AND MAINTENANCE METHOD FOR SAME
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2018/193938 № do pedido internacional: PCT/JP2018/015265
Data de publicação: 25.10.2018 Data de depósito internacional: 11.04.2018
CIP:
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 7/38 (2006.01) ,G03F 7/40 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
027
Fabricação de máscaras sobre corpos semicondutores para tratamento fotolitográfico posterior, não previsto nos subgrupos H01L21/18 ou H01L21/34186
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUÇÃO FOTOMECÂNICA DE SUPERFÍCIES TEXTURIZADAS OU ESTAMPADAS, p. ex., PARA IMPRESSÃO, PARA PROCESSAMENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; MATERIAIS PARA AS MESMAS; ORIGINAIS PARA AS MESMAS; APARELHOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA ESSE FIM
7
Produção fotomecânica, p. ex., fotolitografia, produção de superfícies texturizadas ou estampadas, p. ex., superfícies para impressão; Materiais para esse fim, p. ex., compreendendo fotoresistes; Aparelhos especialmente adaptados para esse fim
26
Processamento de materiais fotossensíveis; Aparelhos para esse fim
38
Tratamento anterior a remoção dos elementos da imagem, p. ex., pré-cozimento
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUÇÃO FOTOMECÂNICA DE SUPERFÍCIES TEXTURIZADAS OU ESTAMPADAS, p. ex., PARA IMPRESSÃO, PARA PROCESSAMENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; MATERIAIS PARA AS MESMAS; ORIGINAIS PARA AS MESMAS; APARELHOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA ESSE FIM
7
Produção fotomecânica, p. ex., fotolitografia, produção de superfícies texturizadas ou estampadas, p. ex., superfícies para impressão; Materiais para esse fim, p. ex., compreendendo fotoresistes; Aparelhos especialmente adaptados para esse fim
26
Processamento de materiais fotossensíveis; Aparelhos para esse fim
40
Tratamento após a remoção dos elementos da imagem, p. ex., cozimento
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
31
para formar camadas isolantes nos mesmos, p. ex., para mascarar ou usando técnicas fotolitográficas; Pós-tratamento dessas camadas; Seleção de materiais para estas camadas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
324
Tratamento térmico para modificar as propriedades de corpos semicondutores, p. ex., recozimento, sinterização
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
67
Aparelhos especialmente adaptados para manipulação de dispositivos semicondutores ou de dispositivos elétricos de estado sólido durante a fabricação ou tratamento dos mesmos; Aparelhos especialmente adaptados para manipulação de pastilhas ("wafers") durante a fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou dispositivos elétricos de estado sólido ou componentes
683
para sustentação ou aderência
Requerentes:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Inventores:
福本 靖博 FUKUMOTO Yasuhiro; JP
田中 裕二 TANAKA Yuji; JP
松尾 友宏 MATSUO Tomohiro; JP
石井 丈晴 ISHII Takeharu; JP
Mandatário:
杉谷 勉 SUGITANI Tsutomu; JP
Dados da prioridade:
2017-08431921.04.2017JP
Título (EN) HEAT TREATMENT DEVICE AND MAINTENANCE METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE ET SON PROCÉDÉ DE MAINTENANCE
(JA) 熱処理装置およびそのメンテナンス方法
Resumo:
(EN) An exhaust outlet (23) is provided to a side wall of a chamber (2), separate from a substrate gateway, and a gas recovery section (51) which emits the gas inside the chamber (2) is joined to the exhaust outlet (23). The gas recovery section is configured to be detachable from the chamber or attachable to the chamber via a draw latch (63). The exhaust outlet is opened by detaching the gas recovery section from the chamber. The exhaust outlet serves as an opening section for maintenance. As a result, maintenance within the chamber is made possible via an opening section of the chamber, provided separately from the substrate gateway, without increasing the number of opening sections.
(FR) Selon la présente invention, une sortie d'échappement (23) est disposée sur une paroi latérale d'une chambre (2), séparée d'une passerelle de substrat, et une section de récupération de gaz (51) qui émet le gaz à l'intérieur de la chambre (2) est reliée à la sortie d'échappement (23). La section de récupération de gaz est configurée pour être détachable de la chambre ou être fixée à la chambre par l'intermédiaire d'un verrou de traction (63). La sortie d'échappement est ouverte en détachant la section de récupération de gaz de la chambre. La sortie d'échappement sert de section d'ouverture pour la maintenance. Par conséquent, la maintenance à l'intérieur de la chambre est rendue possible par l'intermédiaire d'une section d'ouverture de la chambre, fournie séparément à partir de la passerelle de substrat, sans augmenter le nombre de sections d'ouverture.
(JA) 基板出入口とは別にチャンバ(2)の側壁には、排気口(23)が設けられており、その排気口には、チャンバ内の気体を排気する気体回収部(51)が接続されている。気体回収部は、パッチン錠(63)によって、チャンバから取り外され、また、チャンバに取り付けられるようになっている。気体回収部をチャンバから取り外すと、排気口が開かれる。この排気口がメンテナンス用の開口部となる。これにより、開口部の個数を増やさずに、基板出入口とは別に設けられたチャンバの開口部によって、チャンバ内のメンテナンスができる。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)