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1. (WO2018190299) PHOTODETECTOR
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2018/190299 № do pedido internacional: PCT/JP2018/014938
Data de publicação: 18.10.2018 Data de depósito internacional: 09.04.2018
CIP:
H01L 31/107 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
08
em que a radiação controla o fluxo de corrente através dos dispositivos, p. ex., fotoresistores
10
caracterizados por pelo menos uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., fototransistores
101
Dispositivos sensíveis à radiação infravermelha, visível ou ultravioleta
102
caracterizados por uma única barreira de potencial ou de superfície
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a barreira potencial funcionando em regime de avalanche, p. ex., fotodiodo avalanche
Requerentes:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi 4488661, JP
株式会社豊田中央研究所 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO [JP/JP]; 愛知県長久手市横道41番地の1 41-1, Yokomichi, Nagakute-shi, Aichi 4801192, JP
Inventores:
東 謙太 AZUMA, Kenta; JP
尾崎 憲幸 OZAKI, Noriyuki; JP
柏田 真司 KASHIWADA, Shinji; JP
木村 禎祐 KIMURA, Teiyu; JP
高井 勇 TAKAI, Isamu; JP
松原 弘幸 MATSUBARA, Hiroyuki; JP
太田 充彦 OHTA, Mitsuhiko; JP
平塚 誠良 HIRATSUKA, Shigeyoshi; JP
Mandatário:
名古屋国際特許業務法人 NAGOYA INTERNATIONAL PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区錦一丁目20番19号 名神ビル Meishin Bldg., 20-19, Nishiki 1-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
Dados da prioridade:
2017-07916312.04.2017JP
Título (EN) PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR
(JA) 光検出器
Resumo:
(EN) A photodetector provided with: a light reception unit (2) provided with a SPAD (4) configured to respond to entry of photons, the light reception unit (2) being configured to output a pulse signal when the SPAD responds; and a pulse rate control circuit (20) configured to control the sensitivity of the light reception unit so that the pulse rate, which is the number of times a pulse signal is outputted from the light reception unit per unit time, is equal to a set value set in advance, is within a set range including the set value, is equal to or greater than the set value, or is equal to or less than the set value.
(FR) Un photodétecteur comprend : une unité de réception de lumière (2) pourvue d'une SPAD (4) conçue pour répondre à l'entrée de photons, l'unité de réception de lumière (2) étant conçue pour émettre un signal d'impulsion lorsque la SPAD répond ; et un circuit de commande de taux d'impulsions (20) conçu pour commander la sensibilité de l'unité de réception de lumière de telle sorte que le taux d'impulsions, qui est le nombre de fois où un signal d'impulsion est émis par l'unité de réception de lumière par unité de temps, est égal à une valeur de consigne définie à l'avance, se trouve à l'intérieur d'une plage définie comprenant la valeur de consigne, est supérieur ou égal à la valeur de consigne, ou est inférieur ou égal à la valeur de consigne.
(JA) 光検出器は、フォトンの入射に応答するよう構成されたSPAD(4)を備え、SPADが応答するとパルス信号を出力するよう構成された受光部(2)と、受光部からのパルス信号の単位時間当たりの出力数であるパルスレートが、予め設定された設定値、該設定値を含む設定範囲内、該設定値以上、又は、該設定値以下となるように、受光部の感度を制御するよう構成されたパルスレート制御回路(20)と、を備える。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)