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1. (WO2018189906) PRODUCTION METHOD AND PRODUCTION DEVICE FOR ORGANIC EL DISPLAY DEVICE
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/2018/189906 № do pedido internacional: PCT/JP2017/015381
Data de publicação: 18.10.2018 Data de depósito internacional: 14.04.2017
CIP:
H05B 33/10 (2006.01) ,C23C 14/24 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
B
AQUECIMENTO ELÉTRICO; ILUMINAÇÃO ELÉTRICA NÃO INCLUÍDA EM OUTRO LOCAL
33
Fontes de luz eletroluminescente
10
Aparelhos ou processos especialmente adaptados à fabricação de fontes de luz eletroluminescente
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
14
Revestimento por evaporação a vácuo, por pulverização catódica ou por implantação de ions do material
22
caracterizado pelo processo de revestimento
24
Evaporação a vácuo
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
28
incluindo componentes usando materiais orgânicos como a parte ativa, ou usando uma combinação de materiais orgânicos com outros materiais como parte ativa
32
com componentes especialmente adaptados,para emissão de luz, p. ex.,monitores de tela plana usando diodos emissores de luz orgânicos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
51
Dispositivos de estado sólido usando materiais orgânicos como parte ativa ou usando uma combinação de materiais orgânicos com outros materiais como parte ativa; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento de tais dispositivos, ou de suas partes integrantes
50
especialmente adaptados para emissão de luz, p. ex.,diodos orgânicos emissores de luz (OLED) ou dispositivo poliméricos emissores de luz (PLED)
Requerentes:
堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumicho, Sakai-ku, Sakai-shi, Osaka 5908522, JP
Inventores:
岸本 克彦 KISHIMOTO, Katsuhiko; JP
Mandatário:
特許業務法人朝日奈特許事務所 ASAHINA & CO.; 大阪府大阪市中央区谷町二丁目2番22号 NSビル NS Building, 2-22, Tanimachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400012, JP
Dados da prioridade:
Título (EN) PRODUCTION METHOD AND PRODUCTION DEVICE FOR ORGANIC EL DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET DISPOSITIF DE PRODUCTION DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
(JA) 有機EL表示装置の製造方法及び製造装置
Resumo:
(EN) According to one embodiment, the production method for an organic EL display device involves performing a reforming treatment on a vapor deposition mask at a surface thereof that faces a vapor deposition source (S2), mounting a support substrate on one surface of the vapor deposition mask (S3), spattering a desired organic material at the vapor deposition mask so as to form an organic layer that comprises a plurality of layers at a desired location on the support substrate (S4), and forming a second electrode on the organic layer (S8). Before the formation of the organic layer that comprises a plurality of layers, before or after the formation of each of the layers of the organic layer that comprises a plurality of layers, and/or before the formation of the second electrode, an exposed surface of the vapor deposition mask or an exposed surface of the organic layer that has been formed on the vapor deposition mask is reformed.
(FR) Selon un mode de réalisation, le procédé de production d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique consiste à réaliser un traitement de reformage sur un masque de dépôt en phase vapeur au niveau d'une surface de celui-ci qui fait face à une source de dépôt en phase vapeur (S2), à monter un substrat de support sur une surface du masque de dépôt en phase vapeur (S3), à projeter un matériau organique souhaité au niveau du masque de dépôt en phase vapeur de manière à former une couche organique qui comprend une pluralité de couches à un emplacement souhaité sur le substrat de support (S4), et à former une seconde électrode sur la couche organique (S8). Avant la formation de la couche organique qui comprend une pluralité de couches, avant ou après la formation de chacune des couches de la couche organique qui comprend une pluralité de couches, et/ou avant la formation de la seconde électrode, une surface exposée du masque de dépôt en phase vapeur ou une surface exposée de la couche organique qui a été formée sur le masque de dépôt en phase vapeur est reformée.
(JA) 一実施形態の有機EL表示装置の製造方法は、蒸着源と対向する面に改質処理が施された(S2)蒸着マスクの一面に支持基板が装着され(S3)、蒸着マスクに向かって所望の有機材料を飛散させることで支持基板の所望の場所に複数層からなる有機層が積層され(S4)、有機層の上に第2電極が形成される(S8)。そして、複数層からなる有機層の積層の前、複数層からなる有機層の各有機層の積層の前又は後、及び前記第2電極の形成の前の少なくとも1つのタイミングで、蒸着マスクの露出面又は蒸着マスクに形成された有機層の露出面が改質される。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)