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1. (WO2018186389) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, PHOTOSENSOR AND IMAGING ELEMENT
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№ de pub.: WO/2018/186389 № do pedido internacional: PCT/JP2018/014250
Data de publicação: 11.10.2018 Data de depósito internacional: 03.04.2018
CIP:
H01L 51/42 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
51
Dispositivos de estado sólido usando materiais orgânicos como parte ativa ou usando uma combinação de materiais orgânicos com outros materiais como parte ativa; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento de tais dispositivos, ou de suas partes integrantes
42
especialmente adaptados para detecção de radiação de infravermelho, luz, radiação eletromagnética de menor comprimento de onda, ou radiação corpuscular; especialmente adaptada ou para conversão da energia de tal radiação para energia elétrica ou para o controle da energia elétrica por tal radiação
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
14
incluindo componentes semicondutores sensíveis às radiações infravermelhas, à luz, à radiação eletromagnética de comprimentos de onda mais curtos ou à radiação corpuscular e adaptado, tanto para a conversão da energia destas radiações em energia elétrica, como para o controle de energia elétrica por tais radiações
144
Dispositivos controlados por radiação
146
Estruturas de captadores de imagens
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
08
em que a radiação controla o fluxo de corrente através dos dispositivos, p. ex., fotoresistores
10
caracterizados por pelo menos uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., fototransistores
Requerentes:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventores:
吉岡 知昭 YOSHIOKA Tomoaki; JP
福▲崎▼ 英治 FUKUZAKI Eiji; JP
野村 公篤 NOMURA Kimiatsu; JP
Mandatário:
渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
伊東 秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋 史生 MITSUHASHI Fumio; JP
Dados da prioridade:
2017-07654007.04.2017JP
2018-01036525.01.2018JP
Título (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, PHOTOSENSOR AND IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, PHOTODÉTECTEUR ET ÉLÉMENT IMAGEUR
(JA) 光電変換素子、光センサ、および、撮像素子
Resumo:
(EN) The present invention provides: a photoelectric conversion element which has excellent responsivity, while exhibiting excellent dark current characteristics in cases where a photoelectric conversion film is formed at a high rate; a photosensor and an imaging element, each of which comprises this photoelectric conversion element; and a compound. A photoelectric conversion element according to the present invention sequentially comprises a conductive film, a photoelectric conversion film and a transparent conductive film in this order; and the photoelectric conversion film contains a compound represented by formula (1) and an n-type organic semiconductor that has a specific structure.
(FR) La présente invention concerne : un élément de conversion photoélectrique qui présente une excellente sensibilité, tout en présentant d'excellentes caractéristiques de courant d'obscurité dans des cas où un film de conversion photoélectrique est formé à grande vitesse; un photodétecteur et un élément imageur, dont chacun comprend cet élément de conversion photoélectrique; et un composé. Un élément de conversion photoélectrique conforme à la présente invention comprend séquentiellement un film conducteur, un film de conversion photoélectrique et un film conducteur transparent dans cet ordre; et le film de conversion photoélectrique contient un composé représenté par la formule (1) et un semi-conducteur organique de type n qui présente une structure spécifique.
(JA) 本発明は優れた応答性、および、光電変換膜を高速成膜した場合において優れた暗電流特性を示す光電変換素子、光電変換素子を有する、光センサ、撮像素子、および、化合物を提供する。本発明の光電変換素子は、導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、光電変換膜が、式(1)で表される化合物、および、所定の構造を有するn型有機半導体を含む。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)