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1. (WO2018186196) SOLID STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
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№ de pub.: WO/2018/186196 № do pedido internacional: PCT/JP2018/011569
Data de publicação: 11.10.2018 Data de depósito internacional: 23.03.2018
CIP:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01L 27/00 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
14
incluindo componentes semicondutores sensíveis às radiações infravermelhas, à luz, à radiação eletromagnética de comprimentos de onda mais curtos ou à radiação corpuscular e adaptado, tanto para a conversão da energia destas radiações em energia elétrica, como para o controle de energia elétrica por tais radiações
144
Dispositivos controlados por radiação
146
Estruturas de captadores de imagens
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
31
para formar camadas isolantes nos mesmos, p. ex., para mascarar ou usando técnicas fotolitográficas; Pós-tratamento dessas camadas; Seleção de materiais para estas camadas
3205
Deposição de camadas não-isolantes, p. ex., condutoras ou resistivas sobre camadas isolantes; Pós-tratamento dessas camadas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
71
Manufatura de partes específicas de dispositivos definidos no grupo H01L21/7095
768
Aplicando interligações para serem utilizadas para carregar corrente entre componentes separados dentro de um dispositivo
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
77
Manufatura ou tratamento de dispositivos constituídos de uma pluralidade de componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados dentro ou sobre um substrato comum
78
com divisão subsequente do substrato em dispositivos individuais múltiplos
82
para produzir dispositivos, p. ex.,circuitos integrados, cada um consistindo de uma pluralidade de componentes
822
sendo o substrato um semicondutor usando tecnologia de silício
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
52
Disposições para conduzir a corrente elétrica dentro do dispositivo, durante seu funcionamento, de um componente para outro
522
que compreendem interconexões externas formadas por uma estrutura multicamada de camadas condutoras e isolantes inseparáveis do corpo semicondutor sobre o qual foram depositadas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
25
Montagens, consistindo de vários dispositivos semicondutores individuais ou outros dispositivos de estado sólido
03
todos os dispositivos sendo de um tipo incluído no mesmo subgrupo dos grupos H01L27/-H01L51/128
04
não tendo os dispositivos recipientes separados
065
sendo os dispositivos de um tipo previsto no grupo H01L27/78
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
25
Montagens, consistindo de vários dispositivos semicondutores individuais ou outros dispositivos de estado sólido
03
todos os dispositivos sendo de um tipo incluído no mesmo subgrupo dos grupos H01L27/-H01L51/128
04
não tendo os dispositivos recipientes separados
07
sendo os dispositivos de um tipo previsto no grupo H01L29/78
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
25
Montagens, consistindo de vários dispositivos semicondutores individuais ou outros dispositivos de estado sólido
18
os dispositivos dos tipos incluídos em dois ou mais diferentes subgrupos do mesmo grupo principal dos grupos H01L27/-H01L51/160
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
02
incluindo componentes semicondutores adaptados à retificação, oscilação, amplificação, comutação e tendo pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície; incluindo elementos de circuito passivo integrado com pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície
04
sendo o substrato um corpo semicondutor
H ELECTRICIDADE
04
TÉCNICA DE COMUNICAÇÃO ELÉTRICA
N
COMUNICAÇÃO DE IMAGENS, p. ex., TELEVISÃO
5
Detalhes de sistemas de televisão
30
Transformando a luz ou informação análoga em informação elétrica
335
usando sensores de imagem de estado sólido [SSIS]
369
Arquitetura SSIS; Circuitos associados
Requerentes:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventores:
橋口 日出登 HASHIGUCHI, Hideto; JP
庄子 礼二郎 SHOHJI, Reijiroh; JP
堀越 浩 HORIKOSHI, Hiroshi; JP
三橋 生枝 MITSUHASHI, Ikue; JP
飯島 匡 IIJIMA, Tadashi; JP
亀嶋 隆季 KAMESHIMA, Takatoshi; JP
石田 実 ISHIDA, Minoru; JP
羽根田 雅希 HANEDA, Masaki; JP
Mandatário:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; JP
Dados da prioridade:
2017-07480604.04.2017JP
2017-15658614.08.2017JP
Título (EN) SOLID STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、及び電子機器
Resumo:
(EN) [Problem] To provide a solid state imaging device and an electronic apparatus that have improved performance. [Solution] A solid state imaging device that is formed by laminating, in order, a first substrate, a second substrate, and a third substrate. The first substrate is formed by laminating a first semiconductor substrate and a first multilayer wiring layer and has formed thereon a pixel unit that comprises an array of pixels. The second substrate is formed by laminating a second semiconductor substrate and a second multilayer wiring layer and has formed thereon a circuit that has a prescribed function. The third substrate is formed by laminating a third semiconductor substrate and a third multilayer wiring layer and has formed thereon a circuit that has a prescribed function. The first substrate and the second substrate are adhered to each other such that the first multilayer wiring layer and the second semiconductor substrate face. A first connection structure that is for electrically connecting a circuit on the first substrate and the circuit on the second substrate does not include a connection structure that is mediated by an adhesion surface between the first substrate and the second substrate that is formed with the first substrate as a point of reference, or there is no first connection structure.
(FR) L'invention vise à améliorer les performances d'un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs et d'un appareil électronique. Plus spécifiquement, l'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs constitué, stratifiés dans l'ordre suivant: d'un premier substrat dans lequel est formée une partie pixels dans laquelle des pixels sont alignés, et lequel substrat est constitué à son tour d'un premier substrat à semi-conducteurs et d'une première couche de câblage multicouche stratifiés; d'un deuxième substrat dans lequel est formé un circuit avec une fonction prédéterminée, et lequel substrat est constitué à son tour d'un deuxième substrat à semi-conducteurs et d'une deuxième couche de câblage multicouche stratifiés; et d'un troisième substrat dans lequel est formé un circuit avec une fonction prédéterminée, et lequel substrat est constitué à son tour d'un troisième substrat à semi-conducteurs et d'une troisième couche de câblage multicouche stratifiés. Les premier substrat et deuxième substrat susmentionnés sont collés de façon que la première couche de câblage multicouche et la deuxième couche de câblage multicouche soient opposées l'une à l'autre. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs possède première une structure de connexion pour la connexion électrique du circuit du premier substrat et du circuit du deuxième substrat. Cette première structure de connexion ne contient pas de structure de connexion formée en tant que base du premier substrat et mettant en oeuvre une surface d'adhésion entre le premier substrat et le deuxième substrat susmentionnés, ou alternativement, le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs ne contient pas de première structure de connexion.
(JA) 【課題】性能がより向上した固体撮像装置及び電子機器を提供する。 【解決手段】画素が配列された画素部が形成され、第1半導体基板及び第1多層配線層が積層された第1基板と、所定の機能を有する回路が形成され、第2半導体基板及び第2多層配線層が積層された第2基板と、所定の機能を有する回路が形成され、第3半導体基板及び第3多層配線層が積層された第3基板と、がこの順に積層されて構成され、前記第1基板と前記第2基板とは、前記第1多層配線層と前記第2半導体基板とが対向するように貼り合わされ、前記第1基板の回路と前記第2基板の回路とを電気的に接続するための第1の接続構造は、前記第1基板を基点として形成される前記第1基板と前記第2基板との貼り合わせ面を介した接続構造を含まない、又は、前記第1の接続構造が、存在しない、固体撮像装置。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)