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1. (WO2018181788) METHOD FOR EVALUATING QUALITY OF SiC SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT UTILIZING SAID METHOD
Informações disponíveis sobre entradas na fase nacional(maiores informações)
OrganismoData de entradaNúmero nacionalSituação nacional
Japão 14.08.20182018543181
Alemanha 26.11.2018112018000035Published: 28.02.2019
China 29.11.2018201880002188.XPublished: 11.01.2019