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1. (WO2018181788) METHOD FOR EVALUATING QUALITY OF SiC SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT UTILIZING SAID METHOD
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№ de pub.: WO/2018/181788 № do pedido internacional: PCT/JP2018/013390
Data de publicação: 04.10.2018 Data de depósito internacional: 29.03.2018
CIP:
C30B 29/36 (2006.01) ,G01N 23/20 (2018.01)
C QUÍMICA; METALURGIA
30
CRESCIMENTO DE CRISTAIS
B
CRESCIMENTO DE MONOCRISTAIS; SOLIDIFICAÇÃO UNIDIRECIONAL DE MATERIAIS EUTÉTICOS OU DESMIXAGEM UNIDIRECIONAL DE MATERIAIS EUTETÓIDES; REFINO POR FUSÃO ZONAL DE MATERIAL; PRODUÇÃO DE UM MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; MONOCRISTAIS OU MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; PÓS-TRATAMENTO DE MONOCRISTAIS OU DE UM MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; APARELHOS PARA ESSE FIM
29
Monocristais ou material policristalino homogêneo com estrutura definida caracterizados pelo material ou por seus formatos
10
Compostos ou composições inorgânicas
36
Carbonetos
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
23
Investigação ou análise de materiais pelo uso da radiação de ondas ou partículas não abrangidas pelo grupo G01N21/ ou G01N22/173
20
pelo uso de difração da radiação, p. ex., para investigação da estrutura dos cristais; pelo uso da reflexão da radiação
Requerentes:
昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 東京都港区芝大門一丁目13番9号 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP
Inventores:
中林 正史 NAKABAYASHI, Masashi; JP
牛尾 昌史 USHIO, Shoji; JP
Mandatário:
青木 篤 AOKI, Atsushi; JP
三橋 真二 MITSUHASHI, Shinji; JP
高橋 正俊 TAKAHASHI, Masatoshi; JP
胡田 尚則 EBISUDA, Hisanori; JP
河原 肇 KAWAHARA, Hajime; JP
堂垣 泰雄 DOGAKI, Yasuo; JP
Dados da prioridade:
2017-06938130.03.2017JP
Título (EN) METHOD FOR EVALUATING QUALITY OF SiC SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT UTILIZING SAID METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE LA QUALITÉ D'UN MONOCRISTAL DE SiC, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN LINGOT DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN UTILISANT LEDIT PROCÉDÉ
(JA) SiC単結晶体の品質評価方法及びこれを利用した炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
Resumo:
(EN) Provided are: a method for evaluating the quality of a SiC single crystal, whereby it becomes possible to evaluate the quality of a SiC single crystal by a non-destructive and simple process; and a method for producing a SiC single crystal ingot, whereby it becomes possible to produce a SiC single crystal ingot that rarely undergoes dislocation and has high quality with high reproducibility by utilizing the evaluation method. A method for evaluating the quality of a SiC single crystal, said method involving approximating a peak shift value obtained by X-ray rocking curve measurement with a polynomial, i.e. a first polynomial, from the relationship with the positions of measurement points, then differentiating the first polynomial to obtain a second polynomial, and then evaluating the quality of the SiC single crystal on the basis of a graph of the second polynomial; and a method for producing a SiC single crystal ingot, said method involving producing the SiC single crystal ingot by a sublimation-recrystallization method using, as a seed crystal, a SiC single crystal that has been evaluated by the evaluation method.
(FR) L'invention concerne : un procédé d'évaluation de la qualité d'un monocristal de SiC, grâce auquel il devient possible d'évaluer la qualité d'un monocristal de SiC par un procédé non destructif et simple; et un procédé de production d'un lingot de SiC monocristallin, grâce auquel il devient possible de produire un lingot de SiC monocristallin qui subit rarement de dislocation et présente une grande qualité, et ce avec une grande reproductibilité, en utilisant le procédé d'évaluation. L'invention concerne donc un procédé d'évaluation de la qualité d'un monocristal de SiC, ledit procédé comprenant l'approximation d'une valeur de décalage maximal obtenue par mesure d'une courbe oscillante des rayons X avec un polynôme, c'est-à-dire un premier polynôme, à partir de la relation avec les positions de points de mesure, puis la différenciation du premier polynôme pour obtenir un second polynôme, puis l'évaluation de la qualité du monocristal de SiC sur la base d'un graphique du second polynôme; et un procédé de production d'un lingot de SiC monocristallin, ledit procédé comprenant la production du lingot de SiC monocristallin par un procédé de recristallisation par sublimation utilisant, en tant que germe cristallin, un monocristal de SiC évalué par le procédé d'évaluation.
(JA) 非破壊でかつ簡便な方法により、SiC単結晶の品質を評価することができるSiC単結晶の品質評価方法、及びこれを利用して転位が少なく、品質の高いSiC単結晶インゴットを再現性良く製造することができるSiC単結晶インゴットの製造方法を提供する。 X線ロッキングカーブ測定により得られたピークシフト値を測定点の位置との関係から多項式で近似し、この第1の多項式を微分して得られた第2の多項式のグラフをもとに、SiC単結晶体の品質を評価するSiC単結晶体の品質評価方法であり、また、これによって評価したSiC単結晶体を種結晶として用いて昇華再結晶法によりSiC単結晶インゴットを製造するSiC単結晶インゴットの製造方法である。
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Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)
Também publicado como:
CN109196146DE112018000035