Algum conteúdo deste aplicativo está indisponível no momento.
Se esta situação persistir, por favor entre em contato conoscoFale conosco & Contato
1. (WO2018181499) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT MANUFACTURING METHOD
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2018/181499 № do pedido internacional: PCT/JP2018/012813
Data de publicação: 04.10.2018 Data de depósito internacional: 28.03.2018
CIP:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 21/288 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
02
Detalhes
0224
Eletrodos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
28
Fabricação de eletrodos em corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/268155
283
Depósitos de materiais condutores ou isolantes para eletrodos
288
a partir de um líquido, p. ex., depósito eletrolítico
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
04
adaptados como dispositivos de conversão
06
caracterizados por pelo menos uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície
072
sendo as barreiras de potencial unicamente do tipo heterojunção PN
0745
compreendendo um A IVBIVheterojunção, p. ex. células solares Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC
0747
compreendendo uma heterojunção de materiais cristalinos e amorfos, p. ex. heterojunção com camada fina intrínseca ou HIT células solares
Requerentes:
株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島2-3-18 2-3-18, Nakanoshima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
Inventores:
福田 将典 FUKUDA, Masanori; JP
Mandatário:
特許業務法人はるか国際特許事務所 HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; 東京都千代田区六番町3 六番町SKビル5階 Rokubancho SK Bldg. 5th Floor, 3, Rokubancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020085, JP
Dados da prioridade:
2017-07232831.03.2017JP
Título (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法
Resumo:
(EN) A photoelectric conversion element manufacturing method of the present disclosure comprises: a step of preparing a semiconductor substrate having an n-type semiconductor portion and a p-type semiconductor portion which configures a diode with the n-type semiconductor portion; a step of forming an n-side base conductive layer in at least a part of the n-type semiconductor portion; a step of forming a p-side base conductive layer in at least a part of the p-type semiconductor portion; and a step of forming a plated layer in at least a part of the n-side base conductive layer and at least a part of the p-side base conductive layer by immersing the n-side base conductive layer and the p-side base conductive layer in a plating solution, and, with the n-side base conductive layer and the p-side base conductive layer being electrically connected only by means of the diode, feeding power to the n-side base conductive layer.
(FR) Un procédé de fabrication d'élément de conversion photoélectrique de la présente invention comprend : une étape de préparation d'un substrat semiconducteur ayant une portion semiconductrice de type n et une portion semiconductrice de type p qui configure une diode avec la portion semiconductrice de type n; une étape de formation d'une couche conductrice de base côté n dans au moins une partie de la portion semiconductrice de type n; une étape de formation d'une couche conductrice de base côté p dans au moins une partie de la portion semiconductrice de type p; et une étape de formation d'une couche plaquée dans au moins une partie de la couche conductrice de base côté n et au moins une partie de la couche conductrice de base côté p par immersion de la couche conductrice de base côté n et de la couche conductrice de base côté p dans une solution de placage, et, la couche conductrice de base côté n et la couche conductrice de base côté p étant électroconnectées uniquement au moyen de la diode, fournissant de l'énergie à la couche conductrice de base côté n.
(JA) 本開示の光電変換素子の製造方法は、n型半導体部と、前記n型半導体部と共にダイオードを構成するp型半導体部と、を有する半導体基板を準備する工程と、前記n型半導体部の少なくとも一部にn側下地導電層を形成する工程と、前記p型半導体部の少なくとも一部にp側下地導電層を形成する工程と、前記n側下地導電層と前記p側下地導電層とをめっき液に浸漬し、前記n側下地導電層と前記p側下地導電層とが、前記ダイオードのみによって電気的に接続された状態で、前記n側下地導電層を給電することにより、前記n側下地導電層の少なくとも一部と、前記p側下地導電層の少なくとも一部と、にめっき層を形成する工程と、を含む。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)