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1. (WO2018181142) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
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№ de pub.: WO/2018/181142 № do pedido internacional: PCT/JP2018/012061
Data de publicação: 04.10.2018 Data de depósito internacional: 26.03.2018
CIP:
G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01)
G FÍSICA
02
ÓPTICA
F
DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES, NOS QUAIS O FUNCIONAMENTO ÓPTICO É MODIFICADO PELA VARIAÇÃO DAS PROPRIEDADES ÓPTICAS DO MEIO QUE CONSTITUI ESTES DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES PARA O CONTROLE DA INTENSIDADE, DA COR, DA FASE, DA POLARIZAÇÃO OU DA DIREÇÃO DA LUZ, p. ex.,COMUTAÇÃO, ABERTURA DE PORTA, MODULAÇÃO OU DEMODULAÇÃO; TÉCNICAS OU PROCEDIMENTOS NECESSÁRIOS PARA O FUNCIONAMENTO DESTES; MUDANÇA DE FREQUÊNCIA; ÓPTICA NÃO LINEAR; ELEMENTOS ÓPTICOS LÓGICOS; CONVERSORES ÓPTICOS ANALÓGICOS/DIGITAIS
1
Dispositivos ou disposições para o controle da intensidade da cor, da fase, da polarização ou da direção da luz proveniente de uma fonte de luz independente, p. ex.,comutação, abertura de porta ou modulação; Óptica não linear
01
para controle da intensidade, da fase, da polarização ou da cor
13
baseado em cristais líquidos, p. ex., células individuais de apresentação a cristais líquidos
133
Disposições construtivas; Funcionamento de células de cristal líquido; Disposições de circuitos
136
Células de cristal líquido estruturalmente associadas a uma camada ou substrato semicondutores, p. ex., células que fazem parte de um circuito integrado
1362
Células de endereçamento de matriz ativa
1368
na qual o elemento comutador é um dispositivo de três eletrodos
G FÍSICA
09
EDUCAÇÂO; CRIPTOGRAFIA; APRESENTAÇÃO VISUAL; ANÚNCIOS; LOGOTIPOS
F
APRESENTAÇÃO VISUAL; PUBLICIDADE; SINAIS; ETIQUETAS OU CHAPAS DISTINTIVAS; SELOS
9
Disposições para indicar informações variáveis, nas quais as informações são formadas sobre um suporte, por seleção ou combinação de elementos individuais
30
em que o(s) caractere(s) desejado(s) é(são) formado(s) mediante a combinação de elementos individuais
Requerentes:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventores:
北川 英樹 KITAGAWA, Hideki; --
今井 元 IMAI, Hajime; --
伊藤 俊克 ITOH, Toshikatsu; --
菊池 哲郎 KIKUCHI, Tetsuo; --
鈴木 正彦 SUZUKI, Masahiko; --
上田 輝幸 UEDA, Teruyuki; --
原 健吾 HARA, Kengo; --
西宮 節治 NISHIMIYA, Setsuji; --
大東 徹 DAITOH, Tohru; --
Mandatário:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Dados da prioridade:
2017-07177331.03.2017JP
Título (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) アクティブマトリクス基板、液晶表示装置
Resumo:
(EN) The present invention provides a highly precise active matrix substrate while suppressing occurrence of a pixel defect. This active matrix substrate is provided with: a first semiconductor film corresponding to one of two sub-pixels adjacent to each other in a row direction; a second semiconductor film corresponding to the other; a transistor using part of the first semiconductor film as a channel in the row direction; and a pixel electrode connected to a drain electrode of the transistor via a contact hole, wherein in plan view, a distance (dc) in the row direction from the drain electrode-side edge of the channel to the bottom surface of the contract hole is greater than or equal to 0.15 times a sub-pixel pitch (dp) in the row direction.
(FR) La présente invention permet d'obtenir un substrat de matrice active très précis tout en supprimant l'apparition d'un défaut de pixel. Ledit substrat de matrice active est pourvu : d'un premier film semi-conducteur correspondant à un sous-pixel parmi deux sous-pixels adjacents l'un à l'autre dans une direction de rangée ; d'un second film semi-conducteur correspondant à l'autre sous-pixel ; d'un transistor utilisant une partie du premier film semi-conducteur en tant que canal dans la direction de rangée ; et d'une électrode de pixel connectée à une électrode de drain du transistor par l'intermédiaire d'un trou de contact. En vue en plan, une distance (dc) dans la direction de rangée à partir du bord côté électrode de drain du canal jusqu'à la surface inférieure du trou de contact est supérieure ou égale à 0,15 fois un pas de sous-pixel (dp) dans la direction de rangée.
(JA) 画素欠陥の発生を抑えつつ、高精細なアクティブマトリクス基板を提供する。行方向に隣り合う2つのサブ画素の一方に対応する第1半導体膜と、他方に対応する第2半導体膜と、前記第1半導体膜の一部を行方向のチャネルとするトランジスタと、コンタクトホールを介して前記トランジスタのドレイン電極に接続する画素電極とを備え、平面視においては、前記チャネルのドレイン電極側エッジから前記コンタクトホールの底面に到るまでの行方向の距離(dc)が、行方向のサブ画素ピッチ(dp)の0.15倍以上である。
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Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)