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1. (WO2018181128) METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2018/181128 № do pedido internacional: PCT/JP2018/012036
Data de publicação: 04.10.2018 Data de depósito internacional: 26.03.2018
CIP:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01) ,H05K 3/24 (2006.01) ,H05K 3/34 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
02
Detalhes
0224
Eletrodos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
04
adaptados como dispositivos de conversão
06
caracterizados por pelo menos uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície
072
sendo as barreiras de potencial unicamente do tipo heterojunção PN
0745
compreendendo um A IVBIVheterojunção, p. ex. células solares Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC
0747
compreendendo uma heterojunção de materiais cristalinos e amorfos, p. ex. heterojunção com camada fina intrínseca ou HIT células solares
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
K
CIRCUITOS IMPRESSOS; INVÓLUCROS OU DETALHES ESTRUTURAIS DE APARELHOS ELÉTRICOS; FABRICAÇÃO DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELÉTRICOS
3
Aparelhos ou processos para a fabricação de circuitos impressos
22
Tratamento secundário de circuitos impressos
24
Reforço do padrão condutor
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
K
CIRCUITOS IMPRESSOS; INVÓLUCROS OU DETALHES ESTRUTURAIS DE APARELHOS ELÉTRICOS; FABRICAÇÃO DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELÉTRICOS
3
Aparelhos ou processos para a fabricação de circuitos impressos
30
Montagem de circuitos impressos com componentes elétricos, p. ex., com resistor
32
conectando eletricamente componentes elétricos ou fios a circuitos impresso
34
por soldagem
Requerentes:
株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島2-3-18 2-3-18, Nakanoshima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
Inventores:
和田 英敏 WADA, Hidetoshi; JP
末崎 恭 SUEZAKI, Takashi; JP
福田 将典 FUKUDA, Masanori; JP
Mandatário:
特許業務法人はるか国際特許事務所 HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; 東京都千代田区六番町3 六番町SKビル5階 Rokubancho SK Bldg. 5th Floor, 3, Rokubancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020085, JP
Dados da prioridade:
2017-07280831.03.2017JP
Título (EN) METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子の製造方法
Resumo:
(EN) A method for producing a photoelectric conversion element according to the present disclosure comprises: a first electrode formation step wherein a first electrode is formed on at least a first main surface side of a photoelectric conversion unit with use of a conductive paste that contains conductive particles, a thermosetting resin and a solvent; an atmospheric drying step wherein the first electrode is dried by being heated at the atmospheric pressure so as not to exceed the curing temperature of the thermosetting resin; a vacuum drying step wherein the first electrode is vacuum dried by being heated under a vacuum so as not to exceed the curing temperature of the thermosetting resin after the atmospheric drying step; and an insulating film formation step wherein an insulating film is formed on the first main surface side of the first electrode after the vacuum drying step.
(FR) Un procédé de production d'un élément de conversion photoélectrique selon la présente invention comprend : une première étape de formation d'électrode dans laquelle une première électrode est formée sur au moins un premier côté de surface principale d'une unité de conversion photoélectrique avec l'utilisation d'une pâte conductrice qui contient des particules conductrices, une résine thermodurcissable et un solvant; une étape de séchage atmosphérique dans laquelle la première électrode est séchée en étant chauffée à la pression atmosphérique de façon à ne pas dépasser la température de durcissement de la résine thermodurcissable; une étape de séchage sous vide dans laquelle la première électrode est séchée sous vide en étant chauffée sous vide de manière à ne pas dépasser la température de durcissement de la résine thermodurcissable après l'étape de séchage atmosphérique; et une étape de formation de film isolant dans laquelle un film isolant est formé sur le premier côté de surface principale de la première électrode après l'étape de séchage sous vide.
(JA) 本開示に係る光電変換素子の製造方法は、光電変換部における少なくとも第1の主面側に、導電性粒子、熱硬化性樹脂、溶剤を含む導電性ペーストを用いて第1電極を形成する第1電極形成工程と、前記第1電極を、大気圧下において前記熱硬化性樹脂の硬化温度を超えないように加熱し、乾燥させる大気乾燥工程と、前記大気乾燥工程の後に、前記第1電極を、真空下において前記熱硬化性樹脂の硬化温度を超えないように加熱し、真空乾燥させる真空乾燥工程と、前記真空乾燥工程後に、前記第1電極の前記第1の主面側に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、を含む。
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Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)