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1. (WO2018180842) TFT SUBSTRATE, TFT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD, AND DISPLAY DEVICE
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2018/180842 № do pedido internacional: PCT/JP2018/011294
Data de publicação: 04.10.2018 Data de depósito internacional: 22.03.2018
CIP:
G09F 9/30 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01)
G FÍSICA
09
EDUCAÇÂO; CRIPTOGRAFIA; APRESENTAÇÃO VISUAL; ANÚNCIOS; LOGOTIPOS
F
APRESENTAÇÃO VISUAL; PUBLICIDADE; SINAIS; ETIQUETAS OU CHAPAS DISTINTIVAS; SELOS
9
Disposições para indicar informações variáveis, nas quais as informações são formadas sobre um suporte, por seleção ou combinação de elementos individuais
30
em que o(s) caractere(s) desejado(s) é(são) formado(s) mediante a combinação de elementos individuais
G FÍSICA
02
ÓPTICA
F
DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES, NOS QUAIS O FUNCIONAMENTO ÓPTICO É MODIFICADO PELA VARIAÇÃO DAS PROPRIEDADES ÓPTICAS DO MEIO QUE CONSTITUI ESTES DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES PARA O CONTROLE DA INTENSIDADE, DA COR, DA FASE, DA POLARIZAÇÃO OU DA DIREÇÃO DA LUZ, p. ex.,COMUTAÇÃO, ABERTURA DE PORTA, MODULAÇÃO OU DEMODULAÇÃO; TÉCNICAS OU PROCEDIMENTOS NECESSÁRIOS PARA O FUNCIONAMENTO DESTES; MUDANÇA DE FREQUÊNCIA; ÓPTICA NÃO LINEAR; ELEMENTOS ÓPTICOS LÓGICOS; CONVERSORES ÓPTICOS ANALÓGICOS/DIGITAIS
1
Dispositivos ou disposições para o controle da intensidade da cor, da fase, da polarização ou da direção da luz proveniente de uma fonte de luz independente, p. ex.,comutação, abertura de porta ou modulação; Óptica não linear
01
para controle da intensidade, da fase, da polarização ou da cor
13
baseado em cristais líquidos, p. ex., células individuais de apresentação a cristais líquidos
133
Disposições construtivas; Funcionamento de células de cristal líquido; Disposições de circuitos
1333
Disposições construtivas
1343
Eletrodos
G FÍSICA
02
ÓPTICA
F
DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES, NOS QUAIS O FUNCIONAMENTO ÓPTICO É MODIFICADO PELA VARIAÇÃO DAS PROPRIEDADES ÓPTICAS DO MEIO QUE CONSTITUI ESTES DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES PARA O CONTROLE DA INTENSIDADE, DA COR, DA FASE, DA POLARIZAÇÃO OU DA DIREÇÃO DA LUZ, p. ex.,COMUTAÇÃO, ABERTURA DE PORTA, MODULAÇÃO OU DEMODULAÇÃO; TÉCNICAS OU PROCEDIMENTOS NECESSÁRIOS PARA O FUNCIONAMENTO DESTES; MUDANÇA DE FREQUÊNCIA; ÓPTICA NÃO LINEAR; ELEMENTOS ÓPTICOS LÓGICOS; CONVERSORES ÓPTICOS ANALÓGICOS/DIGITAIS
1
Dispositivos ou disposições para o controle da intensidade da cor, da fase, da polarização ou da direção da luz proveniente de uma fonte de luz independente, p. ex.,comutação, abertura de porta ou modulação; Óptica não linear
01
para controle da intensidade, da fase, da polarização ou da cor
13
baseado em cristais líquidos, p. ex., células individuais de apresentação a cristais líquidos
133
Disposições construtivas; Funcionamento de células de cristal líquido; Disposições de circuitos
136
Células de cristal líquido estruturalmente associadas a uma camada ou substrato semicondutores, p. ex., células que fazem parte de um circuito integrado
1362
Células de endereçamento de matriz ativa
1368
na qual o elemento comutador é um dispositivo de três eletrodos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
28
incluindo componentes usando materiais orgânicos como a parte ativa, ou usando uma combinação de materiais orgânicos com outros materiais como parte ativa
32
com componentes especialmente adaptados,para emissão de luz, p. ex.,monitores de tela plana usando diodos emissores de luz orgânicos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
68
controláveis unicamente pela corrente elétrica fornecida ou pelo potencial elétrico aplicado a um eletrodo que não conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efeito de campo
78
com o efeito de campo produzido por uma porta isolada
786
Transistores de filme fino
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
51
Dispositivos de estado sólido usando materiais orgânicos como parte ativa ou usando uma combinação de materiais orgânicos com outros materiais como parte ativa; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento de tais dispositivos, ou de suas partes integrantes
50
especialmente adaptados para emissão de luz, p. ex.,diodos orgânicos emissores de luz (OLED) ou dispositivo poliméricos emissores de luz (PLED)
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
B
AQUECIMENTO ELÉTRICO; ILUMINAÇÃO ELÉTRICA NÃO INCLUÍDA EM OUTRO LOCAL
33
Fontes de luz eletroluminescente
02
Detalhes
Requerentes:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventores:
岡部 達 OKABE, Tohru; --
錦 博彦 NISHIKI, Hirohiko; --
家根田 剛士 YANEDA, Takeshi; --
Mandatário:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Dados da prioridade:
2017-06535529.03.2017JP
Título (EN) TFT SUBSTRATE, TFT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT TFT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) TFT基板、TFT基板の製造方法、表示装置
Resumo:
(EN) The present invention achieves stable connection, in a TFT substrate including a semiconductor film in each of a lower layer part and an upper layer part thereof, between a conductor in the lower layer part and a conductor in the upper layer part. The substrate is provided thereon with: a first semiconductor film (6) that functions as a channel for TFT; a first conductor (M1) that is disposed in a layer above the first semiconductor film; an interlayer insulating film (18) that is disposed in a layer above the first conductor; a second semiconductor film (26) that is disposed in a layer above the interlayer insulating film; a second conductor (J2) that is disposed in a layer above the second semiconductor film; an organic insulating film (32) that is disposed in a layer above the second conductor; a third conductor (M3) that is disposed in a layer above the organic insulating film; and a contact hole (CH) that extends through a through-hole (H32) in the organic insulating film and a through-hole (H18) in the interlayer insulating film and reaches the first conductor, wherein the second conductor (J2) and the third conductor (M3) are formed so as to overlap the opening plane (K) of the contact hole, and the third conductor (M3) is in contact with the first conductor (M1) and the second conductor (J2).
(FR) La présente invention réalise une connexion stable, dans un substrat TFT comprenant un film semi-conducteur dans une partie de couche inférieure et une partie de couche supérieure de ce dernier, entre un conducteur dans la partie de couche inférieure et un conducteur dans la partie de couche supérieure. Le substrat est pourvu : d'un premier film semi-conducteur (6) qui fonctionne comme un canal pour TFT ; d'un premier conducteur (M1) qui est disposé dans une couche au-dessus du premier film semi-conducteur ; un film isolant intercouche (18) qui est disposé dans une couche au-dessus du premier conducteur ; un second film semi-conducteur (26) qui est disposé dans une couche au-dessus du film isolant intercouche ; un second conducteur (J2) qui est disposé dans une couche au-dessus du second film semi-conducteur ; un film isolant organique (32) qui est disposé dans une couche au-dessus du second conducteur ; un troisième conducteur (M3) qui est disposé dans une couche au-dessus du film isolant organique ; et un trou de contact (CH) qui s'étend à travers un trou traversant (H32) dans le film isolant organique et un trou traversant (H18) dans le film isolant intercouche et qui atteint le premier conducteur, le second conducteur (J2) et le troisième conducteur (M3) étant formés de manière à chevaucher le plan d'ouverture (K) du trou de contact, et le troisième conducteur (M3) est en contact avec le premier conducteur (M1) et le second conducteur (J2).
(JA) 下層部および上層部それぞれに半導体膜を含むTFT基板において、下層部の導電体と上層部の導電体との安定的な接続を図る。基板上に、TFTのチャネルとして機能する第1半導体膜(6)と、第1半導体膜よりも上層の第1導電体(M1)と、第1導電体よりも上層の層間絶縁膜(18)と、層間絶縁膜よりも上層の第2半導体膜(26)と、第2半導体膜よりも上層の第2導電体(J2)と、第2導電体よりも上層の有機絶縁膜(32)と、有機絶縁膜よりも上層の第3導電体(M3)と、有機絶縁膜のスルーホール(H32)および層間絶縁膜のスルーホール(H18)を通って第1導電体に到るコンタクトホール(CH)とを備え、第2導電体(J2)および第3導電体(M3)がコンタクトホールの開口面(K)と重なるように形成され、第3導電体(M3)が第1導電体(M1)および第2導電体(J2)と接触する。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)