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1. (WO2018180663) PLASMA TREATMENT METHOD
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№ de pub.: WO/2018/180663 № do pedido internacional: PCT/JP2018/010697
Data de publicação: 04.10.2018 Data de depósito internacional: 19.03.2018
CIP:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H05H 1/00 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
302
para mudar as características físicas ou a forma de sua superfície, p. ex., gravação, polimento, recorte
306
Tratamento químico ou elétrico, p. ex., cauterização eletrolítica
3065
Gravação por plasma; Gravação por íon reativo
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
302
para mudar as características físicas ou a forma de sua superfície, p. ex., gravação, polimento, recorte
304
Tratamento mecânico, p. ex., esmerilhamento, polimento, recorte
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
H
TÉCNICA DO PLASMA; PRODUÇÃO DE PARTÍCULAS ACELERADAS CARREGADAS ELETRICAMENTE OU DE NÊUTRONS; PRODUÇÃO OU ACELERAÇÃO DE FEIXES MOLECULARES OU ATÔMICOS NEUTROS
1
Produção do plasma; Manipulação do plasma
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
H
TÉCNICA DO PLASMA; PRODUÇÃO DE PARTÍCULAS ACELERADAS CARREGADAS ELETRICAMENTE OU DE NÊUTRONS; PRODUÇÃO OU ACELERAÇÃO DE FEIXES MOLECULARES OU ATÔMICOS NEUTROS
1
Produção do plasma; Manipulação do plasma
24
Produção do plasma
46
usando campos eletromagnéticos aplicados, p. ex., energia de alta frequência ou de micro-onda
Requerentes:
株式会社 日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi-Shimbashi 1-chome,Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
Inventores:
廣田 侯然 HIROTA, Kosa; JP
角屋 誠浩 SUMIYA, Masahiro; JP
中宇禰 功一 NAKAUNE, Koichi; JP
玉利 南菜子 TAMARI, Nanako; JP
井上 智己 INOUE, Satomi; JP
中元 茂 NAKAMOTO, Shigeru; JP
Mandatário:
特許業務法人第一国際特許事務所 Patent Corporate Body Dai-ichi Kokusai Tokkyo Jimusho; JP
Dados da prioridade:
2017-06035327.03.2017JP
Título (EN) PLASMA TREATMENT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理方法
Resumo:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a plasma treatment method for plasma etching a wafer such as a semiconductor substrate, wherein composite deposits of a metal and a non-metal that are deposited within a treatment chamber due to a wafer etching process can be removed and the generation of foreign contaminants due to the deposits can be reduced. Provided is a plasma treatment method in which a sample is plasma etched in a treatment chamber and the inside of the treatment chamber is plasma cleaned, the plasma treatment method is characterized: by comprising an etching step in which a prescribed number of the samples are plasma etched, a metal removal step in which, after the etching step, a deposition film containing a metallic element is removed using a plasma, and a non-metal removal step in which a deposition film containing a non-metallic element is removed using a plasma which differs from the plasma used in the metal removal step; and in that the metal removal step and the non-metal removal step are repeated at least two times.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir un procédé de traitement au plasma pour la gravure au plasma d'une tranche telle qu'un substrat semi-conducteur, grâce auquel des dépôts composites d'un métal et d'un non-métal, qui sont déposés à l'intérieur d'une chambre de traitement sous l'effet d'un processus de gravure de tranche, peuvent être éliminés et la production de contaminants étrangers due aux dépôts peut être réduite. À cet effet, l'invention concerne un procédé de traitement au plasma dans lequel un échantillon est gravé au plasma dans une chambre de traitement et dans lequel l'intérieur de la chambre de traitement est nettoyé au plasma, le procédé de traitement au plasma se caractérisant : en ce qu'il comprend une étape de gravure dans laquelle un nombre prescrit des échantillons sont gravés au plasma, une étape d'élimination de métal dans laquelle, après l'étape de gravure, un film de dépôt contenant un élément métallique est retiré à l'aide d'un plasma, et une étape de retrait de non-métal, dans laquelle un film de dépôt contenant un élément non métallique est retiré à l'aide d'un plasma qui diffère du plasma utilisé dans l'étape d'élimination de métal ; et en ce que l'étape d'élimination de métal et l'étape de retrait de non-métal sont répétées au moins deux fois.
(JA) 本発明の目的は、半導体基板等のウエハをプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、ウエハのエッチング処理によって処理室内に堆積する金属と非金属の複合堆積物を除去し、堆積物による異物の発生を低減することのできるプラズマ処理方法を提供する。 本発明は、処理室内にて試料をプラズマエッチングし前記処理室内をプラズマクリーニングするプラズマ処理方法において、前記試料を所定枚数プラズマエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程後、プラズマを用いて金属元素を含有する堆積膜を除去する金属除去工程と、前記金属除去工程のプラズマと異なるプラズマを用いて非金属元素を含有する堆積膜を除去する非金属除去工程を有し、前記金属除去工程と前記非金属除去工程とを2回以上繰り返すことを特徴とする。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)
Também publicado como:
KR1020180122600