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1. (WO2018180536) PROGRAMMABLE LOGIC INTEGRATED CIRCUIT, PROGRAMMING METHOD THEREFOR AND PROGRAM THEREFOR
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№ de pub.: WO/2018/180536 № do pedido internacional: PCT/JP2018/010177
Data de publicação: 04.10.2018 Data de depósito internacional: 15.03.2018
CIP:
H03K 19/177 (2006.01) ,H01L 21/82 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
03
CIRCUITOS ELETRÔNICOS BÁSICOS
K
TÉCNICAS DIGITAIS
19
Circuitos lógicos, i.e., tendo pelo menos duas entradas atuando sobre uma saída; Circuitos de inversão
02
usando componentes específicos
173
usando circuitos elementares lógicos como componentes
177
dispostos em forma de matriz
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
77
Manufatura ou tratamento de dispositivos constituídos de uma pluralidade de componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados dentro ou sobre um substrato comum
78
com divisão subsequente do substrato em dispositivos individuais múltiplos
82
para produzir dispositivos, p. ex.,circuitos integrados, cada um consistindo de uma pluralidade de componentes
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
77
Manufatura ou tratamento de dispositivos constituídos de uma pluralidade de componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados dentro ou sobre um substrato comum
78
com divisão subsequente do substrato em dispositivos individuais múltiplos
82
para produzir dispositivos, p. ex.,circuitos integrados, cada um consistindo de uma pluralidade de componentes
822
sendo o substrato um semicondutor usando tecnologia de silício
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
77
Manufatura ou tratamento de dispositivos constituídos de uma pluralidade de componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados dentro ou sobre um substrato comum
78
com divisão subsequente do substrato em dispositivos individuais múltiplos
82
para produzir dispositivos, p. ex.,circuitos integrados, cada um consistindo de uma pluralidade de componentes
822
sendo o substrato um semicondutor usando tecnologia de silício
8232
Tecnologia de efeito de campo
8234
Tecnologia MIS
8239
Estruturas de memória
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
02
incluindo componentes semicondutores adaptados à retificação, oscilação, amplificação, comutação e tendo pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície; incluindo elementos de circuito passivo integrado com pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície
04
sendo o substrato um corpo semicondutor
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
02
incluindo componentes semicondutores adaptados à retificação, oscilação, amplificação, comutação e tendo pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície; incluindo elementos de circuito passivo integrado com pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície
04
sendo o substrato um corpo semicondutor
10
incluindo vários componentes individuais em uma configuração repetitiva
105
compreendendo componentes de efeito de campo
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
45
Dispositivos de estado sólido adaptados à retificação, amplificação, oscilação ou comutação sem uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., triodos dielétricos; Dispositivos de efeito Ovshinsky; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento dos mesmos ou de suas partes
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
49
Dispositivos de estado sólido não incluídos nos grupos H01L27/-H01L47/106; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes
Requerentes:
日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝五丁目7番1号 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
Inventores:
多田 あゆ香 TADA Ayuka; JP
阪本 利司 SAKAMOTO Toshitsugu; JP
宮村 信 MIYAMURA Makoto; JP
辻 幸秀 TSUJI Yukihide; JP
根橋 竜介 NEBASHI Ryusuke; JP
白 旭 BAI Xu; JP
Mandatário:
下坂 直樹 SHIMOSAKA Naoki; JP
Dados da prioridade:
2017-06286828.03.2017JP
Título (EN) PROGRAMMABLE LOGIC INTEGRATED CIRCUIT, PROGRAMMING METHOD THEREFOR AND PROGRAM THEREFOR
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ LOGIQUE PROGRAMMABLE, SON PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION ET PROGRAMME ASSOCIÉ
(JA) プログラマブル論理集積回路とそのプログラミング方法及びそのプログラム
Resumo:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a circuit capable of reducing leakage power in a programmable logic circuit using resistance change elements. To this end, the present invention is a programmable logic integrated circuit comprising a switch matrix provided with, as a switch element, a plurality of first resistance change elements connected to an input line and an output line, wherein a buffer is connected to the output line, the programmable logic integrated circuit being characterized in that power is not supplied to the buffer that is connected to the output line and does not contribute to an operation of a desired logic circuit, the operation being caused when the logic circuit has been programmed.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir un circuit susceptible de réduire la puissance de fuite dans un circuit logique programmable à l'aide d'éléments de changement de résistance. À cet effet, la présente invention est un circuit intégré logique programmable comprenant une matrice de commutation pourvue, en tant qu'élément de commutation, d'une pluralité de premiers éléments de changement de résistance connectés à une ligne d'entrée et à une ligne de sortie, un tampon étant connecté à la ligne de sortie, le circuit intégré logique programmable étant caractérisé en ce que la puissance n'est pas fournie au tampon qui est connecté à la ligne de sortie et ne contribue pas à un fonctionnement d'un circuit logique souhaité, le fonctionnement étant provoqué lorsque le circuit logique a été programmé.
(JA) 本発明の目的は、抵抗変化素子を用いたプログラマブル論理回路にて、リーク電力を抑制することのできる回路を提供することである。そのために本発明は、入力線と出力線に接続された複数の第1の抵抗変化素子をスイッチ素子として備えたスイッチマトリクスを有し、前記出力線にバッファが接続されたプログラマブル論理集積回路であって、所望の論理回路をプログラムした際に生じる、前記論理回路の動作には寄与しない前記出力線に接続されている前記バッファには電源を供給しないことを特徴とする。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)