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1. (WO2018180340) PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC DEVICE
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2018/180340 № do pedido internacional: PCT/JP2018/009015
Data de publicação: 04.10.2018 Data de depósito internacional: 08.03.2018
CIP:
H01L 41/319 (2013.01) ,H01L 41/047 (2006.01) ,H01L 41/113 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/316 (2013.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
41
Dispositivos piezoelétricos, em geral; Dispositivos eletrostritivos em geral; Dispositivos magnetostritivos em geral; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento desses dispositivos ou de suas partes; Detalhes dos mesmos
22
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a montagem, fabricação ou o tratamento de dispositivos piezoelétricos ou eletrostritivos ou de suas partes
31
Aplicação de partes ou corpos piezoelétricos ou eletrostritivos sobre um elemento elétrico ou uma outra base
314
pelo depósito de camadas piezoelétricas ou eletrostritivas, p. ex., aerossol ou serigrafia
319
usando camadas intermediários, p. ex., para controle do crescimento
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
41
Dispositivos piezoelétricos, em geral; Dispositivos eletrostritivos em geral; Dispositivos magnetostritivos em geral; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento desses dispositivos ou de suas partes; Detalhes dos mesmos
02
Detalhes
04
de elementos piezoelétricos ou eletrostritivos
047
Eletrodos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
41
Dispositivos piezoelétricos, em geral; Dispositivos eletrostritivos em geral; Dispositivos magnetostritivos em geral; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento desses dispositivos ou de suas partes; Detalhes dos mesmos
08
Elementos piezoelétricos ou eletrostritivos
113
com entrada mecânica e saída elétrica
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
41
Dispositivos piezoelétricos, em geral; Dispositivos eletrostritivos em geral; Dispositivos magnetostritivos em geral; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento desses dispositivos ou de suas partes; Detalhes dos mesmos
16
Seleção de materiais
18
para elementos piezoelétricos ou eletrostritivos
187
Composições cerâmicas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
41
Dispositivos piezoelétricos, em geral; Dispositivos eletrostritivos em geral; Dispositivos magnetostritivos em geral; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento desses dispositivos ou de suas partes; Detalhes dos mesmos
22
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a montagem, fabricação ou o tratamento de dispositivos piezoelétricos ou eletrostritivos ou de suas partes
31
Aplicação de partes ou corpos piezoelétricos ou eletrostritivos sobre um elemento elétrico ou uma outra base
314
pelo depósito de camadas piezoelétricas ou eletrostritivas, p. ex., aerossol ou serigrafia
316
pela deposição da fase de vapor
Requerentes:
日東電工株式会社 NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 1-1-2, Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka 5678680, JP
Inventores:
有本 将治 ARIMOTO, Masaharu; JP
待永 広宣 MACHINAGA, Hironobu; JP
▲葛▼田 真郷 KATSUDA, Masato; JP
黒瀬 愛美 KUROSE, Manami; JP
Mandatário:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
Dados da prioridade:
2017-06554729.03.2017JP
Título (EN) PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
Resumo:
(EN) Provided are: a piezoelectric device which is provided with a flexible plastic layer and has excellent piezoelectric properties, and in which cracking or fracture is suppressed; and a method for manufacturing the same. This piezoelectric device has stacked therein, at least a first electrode, a plastic layer, an orientation control layer, a piezoelectric layer, and a second electrode, wherein the orientation control layer is amorphous, the piezoelectric layer, which has a thickness of 20-250 nm and a wurtzite-type crystal structure, is formed on the orientation control layer, and the orientation control layer and the piezoelectric layer are disposed between the first electrode and the second electrode.
(FR) L'invention concerne : un dispositif piézoélectrique qui comprend une couche de plastique souple et qui présente d'excellentes propriétés piézoélectriques, et dans lequel la fissuration ou la fracture est supprimée; et un procédé de fabrication de celui-ci. A l’intérieur ce dispositif piézoélectrique est empilé, au moins une première électrode, une couche plastique, une couche de commande d'orientation, une couche piézoélectrique et une seconde électrode, la couche de commande d'orientation étant amorphe, la couche piézoélectrique, qui a une épaisseur de 20 à 250 nm et une structure cristalline de type wurtzite, est formée sur la couche de commande d'orientation, et la couche de commande d'orientation et la couche piézoélectrique sont disposées entre la première électrode et la seconde électrode.
(JA) 屈曲性を有するプラスチック層を有し、かつ、良好な圧電特性を備え、クラックまたは割れが抑制された、圧電デバイスとその製造方法を提供する。少なくとも、第1電極、プラスチック層、配向制御層、圧電体層、及び第2電極が積層された圧電デバイスにおいて、前記配向制御層は非晶質であり、前記配向制御層の上に、ウルツ鉱型の結晶構造を有する厚さ20nm~250nmの圧電体層が形成されており、前記配向制御層と前記圧電体層が、前記第1電極と前記第2電極の間に配置されている。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)