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1. (WO2018163944) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY
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№ de pub.: WO/2018/163944 № do pedido internacional: PCT/JP2018/007668
Data de publicação: 13.09.2018 Data de depósito internacional: 01.03.2018
CIP:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
68
controláveis unicamente pela corrente elétrica fornecida ou pelo potencial elétrico aplicado a um eletrodo que não conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efeito de campo
78
com o efeito de campo produzido por uma porta isolada
786
Transistores de filme fino
G FÍSICA
02
ÓPTICA
F
DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES, NOS QUAIS O FUNCIONAMENTO ÓPTICO É MODIFICADO PELA VARIAÇÃO DAS PROPRIEDADES ÓPTICAS DO MEIO QUE CONSTITUI ESTES DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES PARA O CONTROLE DA INTENSIDADE, DA COR, DA FASE, DA POLARIZAÇÃO OU DA DIREÇÃO DA LUZ, p. ex.,COMUTAÇÃO, ABERTURA DE PORTA, MODULAÇÃO OU DEMODULAÇÃO; TÉCNICAS OU PROCEDIMENTOS NECESSÁRIOS PARA O FUNCIONAMENTO DESTES; MUDANÇA DE FREQUÊNCIA; ÓPTICA NÃO LINEAR; ELEMENTOS ÓPTICOS LÓGICOS; CONVERSORES ÓPTICOS ANALÓGICOS/DIGITAIS
1
Dispositivos ou disposições para o controle da intensidade da cor, da fase, da polarização ou da direção da luz proveniente de uma fonte de luz independente, p. ex.,comutação, abertura de porta ou modulação; Óptica não linear
01
para controle da intensidade, da fase, da polarização ou da cor
13
baseado em cristais líquidos, p. ex., células individuais de apresentação a cristais líquidos
133
Disposições construtivas; Funcionamento de células de cristal líquido; Disposições de circuitos
1333
Disposições construtivas
1343
Eletrodos
G FÍSICA
02
ÓPTICA
F
DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES, NOS QUAIS O FUNCIONAMENTO ÓPTICO É MODIFICADO PELA VARIAÇÃO DAS PROPRIEDADES ÓPTICAS DO MEIO QUE CONSTITUI ESTES DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES PARA O CONTROLE DA INTENSIDADE, DA COR, DA FASE, DA POLARIZAÇÃO OU DA DIREÇÃO DA LUZ, p. ex.,COMUTAÇÃO, ABERTURA DE PORTA, MODULAÇÃO OU DEMODULAÇÃO; TÉCNICAS OU PROCEDIMENTOS NECESSÁRIOS PARA O FUNCIONAMENTO DESTES; MUDANÇA DE FREQUÊNCIA; ÓPTICA NÃO LINEAR; ELEMENTOS ÓPTICOS LÓGICOS; CONVERSORES ÓPTICOS ANALÓGICOS/DIGITAIS
1
Dispositivos ou disposições para o controle da intensidade da cor, da fase, da polarização ou da direção da luz proveniente de uma fonte de luz independente, p. ex.,comutação, abertura de porta ou modulação; Óptica não linear
01
para controle da intensidade, da fase, da polarização ou da cor
13
baseado em cristais líquidos, p. ex., células individuais de apresentação a cristais líquidos
133
Disposições construtivas; Funcionamento de células de cristal líquido; Disposições de circuitos
136
Células de cristal líquido estruturalmente associadas a uma camada ou substrato semicondutores, p. ex., células que fazem parte de um circuito integrado
1362
Células de endereçamento de matriz ativa
1368
na qual o elemento comutador é um dispositivo de três eletrodos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
334
Processos de várias etapas para a fabricação de dispositivos do tipo unipolar
335
Transistores de efeito de campo
336
com uma porta isolada
Requerentes:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventores:
古川 博章 FURUKAWA, Hiroaki; --
Mandatário:
特許業務法人 安富国際特許事務所 YASUTOMI & ASSOCIATES; 大阪府大阪市淀川区宮原3丁目5番36号 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003, JP
Dados da prioridade:
2017-04406308.03.2017JP
Título (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、液晶表示装置
Resumo:
(EN) The present invention provides a semiconductor device capable of ensuring a high level of reliability while realizing higher definition. This semiconductor device comprises a substrate and a thin-film transistor supported by the substrate, wherein the thin-film transistor is provided with: a first conductive section formed on the substrate; a first insulating layer; an oxide semiconductor layer; a second conductive section which contacts a source contact region of the oxide semiconductor layer; a second insulating layer provided with a contact hole for exposing a drain contact region of the oxide semiconductor layer; and a transparent electrode contacting the drain contact region at the contact hole; and when viewed from the normal direction of the substrate, an outer edge of the drain contact region overlaps a portion of an outer edge of the first conductive section, or is arranged further to the inside than the outer edge of the first conductive section.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semiconducteur capable d'assurer un niveau élevé de fiabilité tout en réalisant une définition plus élevée. Ce dispositif à semiconducteur comprend un substrat et un transistor à couches minces supporté par le substrat, le transistor à couches minces comprenant : une première section conductrice formée sur le substrat; une première couche d'isolation; une couche semiconductrice d'oxyde; une seconde section conductrice qui entre en contact avec une région de contact de source de la couche semiconductrice d'oxyde; une seconde couche d'isolation comprend un trou de contact pour exposer une région de contact de drain de la couche semiconductrice d'oxyde; et une électrode transparente en contact avec la région de contact de drain au niveau du trou de contact; et lorsqu'elle est vue depuis la direction normale du substrat, un bord externe de la région de contact de drain chevauche une partie d'un bord externe de la première section conductrice, ou est disposé davantage vers l'intérieur que le bord externe de la première section conductrice.
(JA) 本発明は、高精細化を実現しつつ、高い信頼性を確保できる半導体装置を提供する。 本発明の半導体装置は、基板と、上記基板に支持された薄膜トランジスタとを備える半導体装置であって、上記薄膜トランジスタは、上記基板上に形成された第一導電部と、第一絶縁層と、酸化物半導体層と、上記酸化物半導体層のソースコンタクト領域と接する第二導電部と、上記酸化物半導体層のドレインコンタクト領域を露出するコンタクトホールが設けられた第二絶縁層と、上記コンタクトホールにおいて上記ドレインコンタクト領域と接する透明電極とを備え、上記基板の法線方向から見たとき、上記ドレインコンタクト領域の外縁は、上記第一導電部の外縁の一部と重なるか、又は、上記第一導電部の外縁よりも内側に配置されるものである。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)