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1. (WO2018161093) GRAPHENE BASED IN-PLANE MICRO-SUPERCAPACITORS
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№ de pub.: WO/2018/161093 № do pedido internacional: PCT/US2018/021187
Data de publicação: 07.09.2018 Data de depósito internacional: 06.03.2018
CIP:
H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 23/64 (2006.01) ,H01L 23/52 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01) ,H01L 23/66 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
48
Disposições para conduzir a corrente elétrica até ou a partir de um corpo sólido durante seu funcionamento, p. ex., fios condutores ou disposições de terminais
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
58
Disposições elétricas estruturais não incluídas em outro local para dispositivos semicondutores
64
Disposições relativas à impedância
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
52
Disposições para conduzir a corrente elétrica dentro do dispositivo, durante seu funcionamento, de um componente para outro
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
52
Disposições para conduzir a corrente elétrica dentro do dispositivo, durante seu funcionamento, de um componente para outro
522
que compreendem interconexões externas formadas por uma estrutura multicamada de camadas condutoras e isolantes inseparáveis do corpo semicondutor sobre o qual foram depositadas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
52
Disposições para conduzir a corrente elétrica dentro do dispositivo, durante seu funcionamento, de um componente para outro
522
que compreendem interconexões externas formadas por uma estrutura multicamada de camadas condutoras e isolantes inseparáveis do corpo semicondutor sobre o qual foram depositadas
532
caracterizadas pelos materiais
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
58
Disposições elétricas estruturais não incluídas em outro local para dispositivos semicondutores
64
Disposições relativas à impedância
66
Adaptações para a alta-frequência
Requerentes:
POHLMAN, William [US/US]; US
Inventores:
POHLMAN, William; US
Mandatário:
PLAGER, Mark; US
O'BRIEN, Michael; US
Dados da prioridade:
15/791,79224.10.2017US
62/466,20602.03.2017US
Título (EN) GRAPHENE BASED IN-PLANE MICRO-SUPERCAPACITORS
(FR) MICRO-SUPERCONDENSATEURS PLANAIRES À BASE DE GRAPHÈNE
Resumo:
(EN) This invention relates to electrical circuitry. Previously, integrated circuits utilized aluminum or copper deposition for power distribution, but this was inefficient. Embodiments of the present invention use at least one layer of graphene deposited across the integrated circuit layers in order to increase the efficiency of the integrated circuit.
(FR) La présente invention concerne des circuits électriques. Auparavant, des circuits intégrés utilisaient un dépôt d'aluminium ou de cuivre pour la distribution de puissance, mais cela était inefficace. Des modes de réalisation de la présente invention utilisent au moins une couche de graphène déposée à travers les couches de circuit intégré afin d'augmenter l'efficacité du circuit intégré.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)