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1. (WO2018159389) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE
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№ de pub.: WO/2018/159389 № do pedido internacional: PCT/JP2018/006013
Data de publicação: 07.09.2018 Data de depósito internacional: 20.02.2018
CIP:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/13 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01) ,H01Q 21/06 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
68
controláveis unicamente pela corrente elétrica fornecida ou pelo potencial elétrico aplicado a um eletrodo que não conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efeito de campo
78
com o efeito de campo produzido por uma porta isolada
786
Transistores de filme fino
G FÍSICA
02
ÓPTICA
F
DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES, NOS QUAIS O FUNCIONAMENTO ÓPTICO É MODIFICADO PELA VARIAÇÃO DAS PROPRIEDADES ÓPTICAS DO MEIO QUE CONSTITUI ESTES DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES PARA O CONTROLE DA INTENSIDADE, DA COR, DA FASE, DA POLARIZAÇÃO OU DA DIREÇÃO DA LUZ, p. ex.,COMUTAÇÃO, ABERTURA DE PORTA, MODULAÇÃO OU DEMODULAÇÃO; TÉCNICAS OU PROCEDIMENTOS NECESSÁRIOS PARA O FUNCIONAMENTO DESTES; MUDANÇA DE FREQUÊNCIA; ÓPTICA NÃO LINEAR; ELEMENTOS ÓPTICOS LÓGICOS; CONVERSORES ÓPTICOS ANALÓGICOS/DIGITAIS
1
Dispositivos ou disposições para o controle da intensidade da cor, da fase, da polarização ou da direção da luz proveniente de uma fonte de luz independente, p. ex.,comutação, abertura de porta ou modulação; Óptica não linear
01
para controle da intensidade, da fase, da polarização ou da cor
13
baseado em cristais líquidos, p. ex., células individuais de apresentação a cristais líquidos
G FÍSICA
02
ÓPTICA
F
DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES, NOS QUAIS O FUNCIONAMENTO ÓPTICO É MODIFICADO PELA VARIAÇÃO DAS PROPRIEDADES ÓPTICAS DO MEIO QUE CONSTITUI ESTES DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES PARA O CONTROLE DA INTENSIDADE, DA COR, DA FASE, DA POLARIZAÇÃO OU DA DIREÇÃO DA LUZ, p. ex.,COMUTAÇÃO, ABERTURA DE PORTA, MODULAÇÃO OU DEMODULAÇÃO; TÉCNICAS OU PROCEDIMENTOS NECESSÁRIOS PARA O FUNCIONAMENTO DESTES; MUDANÇA DE FREQUÊNCIA; ÓPTICA NÃO LINEAR; ELEMENTOS ÓPTICOS LÓGICOS; CONVERSORES ÓPTICOS ANALÓGICOS/DIGITAIS
1
Dispositivos ou disposições para o controle da intensidade da cor, da fase, da polarização ou da direção da luz proveniente de uma fonte de luz independente, p. ex.,comutação, abertura de porta ou modulação; Óptica não linear
01
para controle da intensidade, da fase, da polarização ou da cor
13
baseado em cristais líquidos, p. ex., células individuais de apresentação a cristais líquidos
133
Disposições construtivas; Funcionamento de células de cristal líquido; Disposições de circuitos
1333
Disposições construtivas
1343
Eletrodos
G FÍSICA
02
ÓPTICA
F
DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES, NOS QUAIS O FUNCIONAMENTO ÓPTICO É MODIFICADO PELA VARIAÇÃO DAS PROPRIEDADES ÓPTICAS DO MEIO QUE CONSTITUI ESTES DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES PARA O CONTROLE DA INTENSIDADE, DA COR, DA FASE, DA POLARIZAÇÃO OU DA DIREÇÃO DA LUZ, p. ex.,COMUTAÇÃO, ABERTURA DE PORTA, MODULAÇÃO OU DEMODULAÇÃO; TÉCNICAS OU PROCEDIMENTOS NECESSÁRIOS PARA O FUNCIONAMENTO DESTES; MUDANÇA DE FREQUÊNCIA; ÓPTICA NÃO LINEAR; ELEMENTOS ÓPTICOS LÓGICOS; CONVERSORES ÓPTICOS ANALÓGICOS/DIGITAIS
1
Dispositivos ou disposições para o controle da intensidade da cor, da fase, da polarização ou da direção da luz proveniente de uma fonte de luz independente, p. ex.,comutação, abertura de porta ou modulação; Óptica não linear
01
para controle da intensidade, da fase, da polarização ou da cor
13
baseado em cristais líquidos, p. ex., células individuais de apresentação a cristais líquidos
133
Disposições construtivas; Funcionamento de células de cristal líquido; Disposições de circuitos
136
Células de cristal líquido estruturalmente associadas a uma camada ou substrato semicondutores, p. ex., células que fazem parte de um circuito integrado
1362
Células de endereçamento de matriz ativa
1368
na qual o elemento comutador é um dispositivo de três eletrodos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
Q
ANTENAS
3
Dispositivos para mudar ou variar a orientação ou a forma do padrão direcional das ondas irradiadas de uma antena ou de um sistema de antenas
26
variando a fase relativa ou a amplitude relativa da energia de excitação entre dois ou mais elementos de radiação ativos; variando a distribuição de energia através de uma abertura de radiação
30
variando a fase
34
por meios elétricos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
Q
ANTENAS
3
Dispositivos para mudar ou variar a orientação ou a forma do padrão direcional das ondas irradiadas de uma antena ou de um sistema de antenas
44
variando as características elétricas ou magnéticas de dispositivos de reflexão, refração ou difração associados com o elemento de radiação
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
Q
ANTENAS
13
Corneta ou bocais de guia de onda; Antenas de ranhura; Antenas de guia de onda com fuga; Estruturas equivalentes que causam radiação ao longo do trajeto da transmissão de uma onda dirigida
20
Antenas de guia de ondas com fuga não ressonante ou antenas de linha de transmissão; Estruturas equivalentes produzindo radiações ao longo do trajeto de transmissão de uma onda guiada
22
Ranhura longitudinal na parede limite do guia de onda ou da linha de transmissão
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
Q
ANTENAS
21
Combinações ou sistemas de antenas
06
Combinações de unidades de antenas individualmente energizadas e de polarização e espaçamento similares
Requerentes:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventores:
美崎 克紀 MISAKI Katsunori; --
Mandatário:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
Dados da prioridade:
2017-03714028.02.2017JP
Título (EN) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT TFT, ANTENNE À BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT TFT, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT
(JA) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
Resumo:
(EN) A TFT substrate (106) is provided with: a transmission/reception region (R1) that includes a plurality of antenna unit regions (U); and a non-transmission/reception region (R2) that is positioned in a region other than the transmission/reception region. Each of the antenna unit regions has a TFT (10), and a patch electrode (15) that is electrically connected to a drain electrode (7D) of the TFT. The TFT substrate has a gate metal layer (3) that includes a gate electrode (3G) of the TFT, a gate insulating layer (4), a source metal layer (7) that includes a drain electrode and a source electrode (7S) of the TFT, a first insulating layer (11), a patch metal layer (15l) that includes a patch electrode, a second insulating layer (17), and an upper conductive layer (19). The upper conductive layer includes a patch drain connection part (19a) that is electrically connected to the patch electrode and the drain electrode.
(FR) La présente invention concerne un substrat TFT (106) comprenant : une région d'émission/réception (R1) incluant la pluralité de régions d'unité d'antenne (U) ; et une région de non-émission/réception (R2) positionnée dans une région autre que la région d'émission/réception. Chaque zone de la pluralité de zones d'unité d'antenne comprend un transistor en couches minces (TFT) (10) et une électrode adhésive (15) connectée électriquement à une électrode de drain (7D) du TFT. Le substrat TFT a une couche de métal de grille (3) qui comprend une électrode de grille (3G) du TFT, une couche d'isolation de grille (4), une couche de métal de source (7) qui comprend une électrode de drain et une électrode de source (7S) du TFT, une première couche d'isolation (11), une couche métallique adhésive (15l) qui comprend une électrode de plaque, une seconde couche d'isolation (17), et une couche conductrice supérieure (19). La couche conductrice supérieure comprend une partie de connexion de drain adhésive (19a) qui est électriquement connectée à l'électrode de plaque et à l'électrode de drain.
(JA) TFT基板(106)は、複数のアンテナ単位領域(U)を含む送受信領域(R1)と、送受信領域以外の領域に位置する非送受信領域(R2)とを備える。複数のアンテナ単位領域のそれぞれは、TFT(10)と、TFTのドレイン電極(7D)に電気的に接続されたパッチ電極(15)とを有する。TFT基板は、TFTのゲート電極(3G)を含むゲートメタル層(3)と、ゲート絶縁層(4)と、TFTのソース電極(7S)およびドレイン電極を含むソースメタル層(7)と、第1絶縁層(11)と、パッチ電極を含むパッチメタル層(15l)と、第2絶縁層(17)と、上部導電層(19)とを有し、上部導電層は、パッチ電極およびドレイン電極と電気的に接続されたパッチドレイン接続部(19a)を含む。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)