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1. (WO2018159225) SENSE AMPLIFIER, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, INFORMATION PROCESSING DEVICE, AND READING METHOD
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№ de pub.: WO/2018/159225 № do pedido internacional: PCT/JP2018/003823
Data de publicação: 07.09.2018 Data de depósito internacional: 05.02.2018
CIP:
G11C 7/06 (2006.01) ,G11C 7/08 (2006.01) ,G11C 13/00 (2006.01)
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
7
Disposições para escrever ou ler informações em uma memória digital
06
Amplificadores de sensibilidade; Circuitos associados
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
7
Disposições para escrever ou ler informações em uma memória digital
06
Amplificadores de sensibilidade; Circuitos associados
08
Controle para isso
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
13
Memórias digitais caracterizadas pelo emprego de elementos de memória não abrangidos pelos grupos G11C11/, G11C23/, ou G11C25/200
Requerentes:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventores:
黒田 真実 KURODA, Masami; JP
Mandatário:
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
Dados da prioridade:
2017-04074003.03.2017JP
Título (EN) SENSE AMPLIFIER, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, INFORMATION PROCESSING DEVICE, AND READING METHOD
(FR) AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION, DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'INFORMATIONS ET PROCÉDÉ DE LECTURE
(JA) センスアンプ、半導体記憶装置、情報処理装置及び読み出し方法
Resumo:
(EN) [Problem] To provide a sense amplifier that enables a semiconductor memory device to have a larger capacity, higher speed, and higher data rate. [Solution] A sense amplifier according to the present invention is provided with: first and second inverters that have a switch for controlling an active state and a non-active state and in which respective inputs and outputs are cross-coupled; and first and second switches for switching between connection and disconnection of an input from a memory element on the respective cross-coupled signal lines.
(FR) [Problème] Fournir un amplificateur de détection qui permet à un dispositif de mémoire à semi-conducteurs de comporter d'une plus grande capacité, d'une vitesse plus élevée et d'un débit de données plus élevé. La solution selon la présente invention porte sur un amplificateur de détection qui comprend : des premier et second onduleurs qui comportent un commutateur afin de commander un état actif et un état non actif et dans lesquels des entrées et des sorties respectives sont couplées en croix ; et des premier et second commutateurs pour commuter entre la connexion et la déconnexion d'une entrée d'un élément de mémoire sur les lignes de signal couplées transversalement respectives.
(JA) 【課題】半導体記憶装置の大容量化や高速化、データレート向上を実現することが可能なセンスアンプを提供する。 【解決手段】活性状態と非活性状態とを制御するスイッチを備え、それぞれの入力と出力とがクロスカップル接続された第1及び第2のインバータと、前記クロスカップルされた信号線のそれぞれに、記憶素子からの入力に対する接続と遮断とを切り替える第1及び第2のスイッチと、を備える、センスアンプが提供される。
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Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)