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1. (WO2018155034) OXIDE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
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№ de pub.: WO/2018/155034 № do pedido internacional: PCT/JP2018/001729
Data de publicação: 30.08.2018 Data de depósito internacional: 22.01.2018
CIP:
C01G 33/00 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
C QUÍMICA; METALURGIA
01
QUÍMICA INORGÂNICA
G
COMPOSTOS CONTENDO METAIS NÃO ABRANGIDOS PELAS SUBCLASSES C01D OU C01F103
33
Compostos de nióbio
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
68
controláveis unicamente pela corrente elétrica fornecida ou pelo potencial elétrico aplicado a um eletrodo que não conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efeito de campo
78
com o efeito de campo produzido por uma porta isolada
786
Transistores de filme fino
Requerentes:
国立研究開発法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 3-1,Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921, JP
Inventores:
菊地 直人 KIKUCHI, Naoto; JP
相浦 義弘 AIURA, Yoshihiro; JP
三溝 朱音 SAMIZO, Akane; JP
池田 紳太郎 IKEDA, Shintarou; JP
Mandatário:
特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES; 東京都新宿区新宿2丁目3番10号 新宿御苑ビル3階 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Dados da prioridade:
2017-03211323.02.2017JP
Título (EN) OXIDE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE ET SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 酸化物半導体及び半導体装置
Resumo:
(EN) Provided are: an oxide semiconductor device capable of providing a p-type semiconductor in an oxide semiconductor and having excellent transparency, mobility, and weather resistance; and a semiconductor device comprising said oxide semiconductor. This oxide semiconductor has a crystal structure including a fordite structure, comprises a composite oxide including elements Nb and Sn , and has positive holes that serve as charge carriers as a result of Sn4+/(Sn2+ + Sn4+), which is the Sn4+ ratio relative to the total Sn content in the composite oxide, being 0.006 ≤ Sn4+/(Sn2+ + Sn4+) ≤ 0.013.
(FR) L'invention concerne : un dispositif semi-conducteur d'oxyde capable de fournir un semi-conducteur de type p dans un semi-conducteur d'oxyde et ayant une excellente transparence, une excellente mobilité et une excellente résistance aux intempéries; et un dispositif semi-conducteur comprenant ledit semi-conducteur d'oxyde. Ce semi-conducteur d'oxyde a une structure cristalline comprenant une structure fordite, comprend un oxyde composite comprenant des éléments Nb et Sn, et présente des trous positifs qui servent de porteurs de charge en raison de Sn4+/(Sn2+ + Sn4+), qui est le rapport de Sn4+ par rapport à la teneur totale en Sn dans l'oxyde composite, étant 0,006 ≤ Sn4+/(Sn2+ + Sn4+) ≤ 0,013.
(JA) 酸化物半導体においてp型半導体を実現可能にし、透明性、移動度、耐候性等の優れた酸化物半導体及び該酸化物半導体を備える半導体装置を提供する。フォーダイト構造を含む結晶構造を有し、Nb元素とSn元素を含む複合酸化物で構成され、前記複合酸化物中の全Sn量に対するSn4+の割合であるSn4+/(Sn2++Sn4+)が0.006≦Sn4+/(Sn2++Sn4+)≦0.013であることにより、正孔が荷電担体となる酸化物半導体を実現する。
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Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)