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1. (WO2018153590) SEMICONDUCTOR MODULE COMPRISING A HEAT SINK
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№ de pub.: WO/2018/153590 № do pedido internacional: PCT/EP2018/051508
Data de publicação: 30.08.2018 Data de depósito internacional: 23.01.2018
CIP:
H01L 21/48 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
48
Fabricação ou tratamento de partes, p. ex., de recipientes, antes da montagem dos dispositivos, usando processos não incluídos em um único dos subgrupos H01L21/06-H01L21/326204
Requerentes:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München, DE
Inventores:
SEIBICKE, Frank; DE
Dados da prioridade:
17158155.627.02.2017EP
Título (EN) SEMICONDUCTOR MODULE COMPRISING A HEAT SINK
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR POURVU D'UN DISSIPATEUR THERMIQUE
(DE) HALBLEITERMODUL MIT KÜHLKÖRPER
Resumo:
(EN) The invention relates to a method for manufacturing a semiconductor module (1) comprising a heat sink (2). In order to improve heat transfer between the semiconductor module (1) and the heat sink (2), the heat sink (2) is applied to a substrate (11) of the semiconductor module (1) using an additive manufacturing process, the heat sink (2) being formed by applying a material containing metal. The invention further relates to a semiconductor module (1) comprising a heat sink (2) that is disposed on the substrate (11) of the semiconductor module (1) using the aforementioned kind of method.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un module semi-conducteur (1) pourvu d'un dissipateur thermique (2). Selon l'invention, pour améliorer le transfert de chaleur entre le module semi-conducteur (1) et le dissipateur thermique (2), le dissipateur thermique (2) est appliqué par un procédé de fabrication additive sur une plaque de base (11) du module semi-conducteur (1), le dissipateur thermique (2) étant formé par application d'un matériau présentant du métal. L'invention concerne en outre un module semi-conducteur (1) pourvu d'un dissipateur thermique (2), le dissipateur thermique (2) étant disposé par un tel procédé sur la plaque de base (11) du module semi-conducteur (1).
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls (1) mit einem Kühlkörper (2). Zur Verbesserung des Wärmeübergangs zwischen Halbleitermodul (1) und Kühlkörper (2) wird vorgeschlagen, dass der Kühlkörper (2) mittels eines additiven Fertigungsverfahrens auf eine Bodenplatte (11) des Halbleitermoduls (1) aufgetragen wird, wobei der Kühlkörper (2) durch Auftragen eines Materials gebildet wird, das Metall aufweist. Weiter betrifft die Erfindung ein Halbleitermodul (1) mit einem Kühlkörper (2), wobei der Kühlkörper (2) mittels eines solchen Verfahrens an der Bodenplatte (11) des Halbleitermoduls (1) angeordnet ist.
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Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: alemão (DE)
Língua de depósito: alemão (DE)