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1. (WO2018140104) METHOD AND SYSTEM FOR DEFECT PREDICTION OF INTEGRATED CIRCUITS
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2018/140104 № do pedido internacional: PCT/US2017/059027
Data de publicação: 02.08.2018 Data de depósito internacional: 30.10.2017
CIP:
G01N 21/88 (2006.01) ,G01N 21/95 (2006.01) ,G01N 21/01 (2006.01)
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
21
Investigação ou análise de materiais pelo uso de meios ópticos, i.e., usando raios infravermelhos, visíveis ou ultravioletas
84
Sistemas especialmente adaptados para aplicações especiais
88
Investigação da presença de falhas, defeitos ou contaminação
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
21
Investigação ou análise de materiais pelo uso de meios ópticos, i.e., usando raios infravermelhos, visíveis ou ultravioletas
84
Sistemas especialmente adaptados para aplicações especiais
88
Investigação da presença de falhas, defeitos ou contaminação
95
caracterizado pelo material ou formato do objeto a ser examinado
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
21
Investigação ou análise de materiais pelo uso de meios ópticos, i.e., usando raios infravermelhos, visíveis ou ultravioletas
01
Disposições ou aparelhos para facilitar a investigação óptica
Requerentes:
DONGFANG JINGYUAN ELECTRON LIMITED [CN/CN]; 156 4th Jinghai Road, Building 12 Beijing Economic Development District Beijing, CN 10076, CN
Inventores:
YU, Zongchang; US
LIN, Jie; US
ZHANG, Zhaoli; US
Mandatário:
XIAO, Lin; US
KNIGHT, Michelle L.; US
Dados da prioridade:
15/419,64330.01.2017US
Título (EN) METHOD AND SYSTEM FOR DEFECT PREDICTION OF INTEGRATED CIRCUITS
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE PRÉDICTION DE DÉFAUTS DE CIRCUITS INTÉGRÉS
Resumo:
(EN) Methods and systems for defect prediction are provided. The method includes receiving feature data of an integrated circuit (IC) and process condition data of a production process associated with the IC, and determining a care area associated with the IC using the feature data, the process condition data, and a defect prediction technique, wherein the care area includes a potential defect and is inspected by a high-resolution inspection system. Based on the provided methods and systems, care areas can be generated incorporating actual process conditions when the inspected IC is being manufactured, and fast and high-resolution IC defect inspection systems can be implemented.
(FR) L’invention concerne des procédés et des systèmes de prédiction de défauts. Le procédé consiste à recevoir des données d’attributs d’un circuit intégré (CI) et des données de conditions de processus d’un processus de production associé au CI, et à déterminer une zone de soin associée au CI au moyen des données d’attributs, des données de conditions de processus, et d’une technique de prédiction de défauts, la zone de soin incluant un défaut potentiel et étant inspectée par un système d’inspection à haute résolution. Sur la base des procédés et des systèmes selon l’invention, des zones de soin peuvent être générées en incorporant des conditions de processus réelles lorsque le CI inspecté est fabriqué, et des systèmes d’inspection de défauts de CI rapides et à haute résolution peuvent être réalisés.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Inglês (EN)
Língua de depósito: Inglês (EN)