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1. (WO2018139282) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2018/139282 № do pedido internacional: PCT/JP2018/001091
Data de publicação: 02.08.2018 Data de depósito internacional: 17.01.2018
CIP:
H01L 27/146 (2006.01) ,G02B 7/02 (2006.01) ,G03B 17/02 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
14
incluindo componentes semicondutores sensíveis às radiações infravermelhas, à luz, à radiação eletromagnética de comprimentos de onda mais curtos ou à radiação corpuscular e adaptado, tanto para a conversão da energia destas radiações em energia elétrica, como para o controle de energia elétrica por tais radiações
144
Dispositivos controlados por radiação
146
Estruturas de captadores de imagens
G FÍSICA
02
ÓPTICA
B
ELEMENTOS, SISTEMAS OU APARELHOS ÓPTICOS
7
Montagens, meios de ajustagem ou ligações impenetráveis à luz, para elementos ópticos
02
para lentes
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
B
APARELHOS OU DISPOSIÇÕES PARA TIRAR FOTOGRAFIAS OU PARA PROJETÁ-LAS OU VISUALIZÁ-LAS; APARELHOS OU DISPOSIÇÕES QUE UTILIZAM TÉCNICAS SEMELHANTES POR MEIO DE OUTRAS ONDAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ACESSÓRIOS PARA OS MESMOS
17
Detalhes de câmeras fotográficas ou dos corpos das mesmas; Acessórios para as mesmas
02
Corpos
H ELECTRICIDADE
04
TÉCNICA DE COMUNICAÇÃO ELÉTRICA
N
COMUNICAÇÃO DE IMAGENS, p. ex., TELEVISÃO
5
Detalhes de sistemas de televisão
30
Transformando a luz ou informação análoga em informação elétrica
335
usando sensores de imagem de estado sólido [SSIS]
369
Arquitetura SSIS; Circuitos associados
Requerentes:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventores:
宝玉 晋 HOGYOKU Susumu; JP
Mandatário:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Dados da prioridade:
2017-01430330.01.2017JP
Título (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET INSTRUMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置、及び、電子機器
Resumo:
(EN) The present art pertains to a semiconductor device with which it is possible to provide an optical system that is stable with respect to heat, and an electronic instrument. Provided is a semiconductor device equipped with a sensor and a holding substrate for holding the sensor, the semiconductor device satisfying the relationships (EI × tI) + (ES × tS) > 30 and 1.5 < CTEI < 4.5, where, regarding the sensor, ES(GPa) represents the Young's modulus and tS(mm) represents the thickness, and regarding the holding substrate, CTEI(ppm/K) represents the linear coefficient, EI(GPa) represents the Young's modulus, and tI(mm) represents the thickness. The present art can be applied to, e.g., a semiconductor package housing an image sensor.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur avec lequel il est possible de fournir un système optique qui est stable vis-à-vis de la chaleur, et un instrument électronique. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur équipé d'un capteur et d'un substrat de maintien destiné à maintenir le capteur, le dispositif à semi-conducteur satisfaisant les relations (EI × tI) + (ES × tS) > 30 et 1,5 < CTEI < 4,5, où, en ce qui concerne le capteur, ES (GPa) représente le module d'élasticité de Young et tS (mm) représente l'épaisseur, et en ce qui concerne le substrat de maintien, CTEI (ppm/K) représente le coefficient linéaire, EI (GPa) représente le module d'élasticité de Young, et tI (mm) représente l'épaisseur. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à un boîtier de semi-conducteur logeant un capteur d'image.
(JA) 本技術は、熱に対して安定な光学系を提供することができるようにする半導体装置、及び、電子機器に関する。 センサと、当該センサを保持する保持基板とを備え、センサについて、ヤング率をES(GPa),厚みをtS(mm)とし、保持基板について、線膨張係数をCTEI(ppm/K),ヤング率をEI(GPa),厚みをtI(mm)としたとき、(EI × tI)+(ES × tS) > 30、かつ、1.5 < CTEI < 4.5を満たしている半導体装置が提供される。本技術は、例えば、イメージセンサを収納した半導体パッケージに適用することができる。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)