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1. (WO2018128078) ETCHING METHOD AND ETCHING DEVICE
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2018/128078 № do pedido internacional: PCT/JP2017/045708
Data de publicação: 12.07.2018 Data de depósito internacional: 20.12.2017
CIP:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/3213 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
302
para mudar as características físicas ou a forma de sua superfície, p. ex., gravação, polimento, recorte
306
Tratamento químico ou elétrico, p. ex., cauterização eletrolítica
3065
Gravação por plasma; Gravação por íon reativo
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
31
para formar camadas isolantes nos mesmos, p. ex., para mascarar ou usando técnicas fotolitográficas; Pós-tratamento dessas camadas; Seleção de materiais para estas camadas
3205
Deposição de camadas não-isolantes, p. ex., condutoras ou resistivas sobre camadas isolantes; Pós-tratamento dessas camadas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
31
para formar camadas isolantes nos mesmos, p. ex., para mascarar ou usando técnicas fotolitográficas; Pós-tratamento dessas camadas; Seleção de materiais para estas camadas
3205
Deposição de camadas não-isolantes, p. ex., condutoras ou resistivas sobre camadas isolantes; Pós-tratamento dessas camadas
321
Pós-tratamento
3213
Gravação física ou química de camadas, p. ex., para produzir uma camada padronizada a partir de uma camada extensa pré-depositada
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
71
Manufatura de partes específicas de dispositivos definidos no grupo H01L21/7095
768
Aplicando interligações para serem utilizadas para carregar corrente entre componentes separados dentro de um dispositivo
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
52
Disposições para conduzir a corrente elétrica dentro do dispositivo, durante seu funcionamento, de um componente para outro
522
que compreendem interconexões externas formadas por uma estrutura multicamada de camadas condutoras e isolantes inseparáveis do corpo semicondutor sobre o qual foram depositadas
532
caracterizadas pelos materiais
Requerentes:
セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP
Inventores:
山内 邦裕 YAMAUCHI, Kunihiro; JP
増田 隆司 MASUDA, Takashi; JP
八尾 章史 YAO, Akifumi; JP
Mandatário:
小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; JP
富岡 潔 TOMIOKA, Kiyoshi; JP
山口 幸二 YAMAGUCHI, Koji; JP
Dados da prioridade:
2017-00014104.01.2017JP
Título (EN) ETCHING METHOD AND ETCHING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE ET DISPOSITIF DE GRAVURE
(JA) ドライエッチング方法及びエッチング装置
Resumo:
(EN) A dry etching method for etching a metal film on a substrate using an etching gas, said method characterized in that: the etching gas contains a β-diketone, a first additive gas and a second additive gas; the metal film includes a metal element capable of forming a complex with the β-diketone; the first additive gas is at least one type of gas selected from the group consisting of NO, N2O, O2, and O3; the second additive gas is at least one type of gas selected from the group consisting of H2O and H22; the amount of the β-diketone contained in the etching gas is 10 vol% to 90 vol% with respect to the etching gas; and the amount of the second additive gas contained in the etching gas is 0.1 vol% to 15 vol% with respect to the etching gas. This method makes it possible to improve the etching speed with respect to a metal film.
(FR) L’invention concerne un procédé de gravure sèche permettant de graver un film métallique sur un substrat à l'aide d'un gaz de gravure, ledit procédé étant caractérisé en ce que : le gaz de gravure contient une β-dicétone, un premier gaz additif et un second gaz additif ; le film métallique comprend un élément métallique capable de former un complexe avec la β-dicétone ; le premier gaz additif est au moins un type de gaz choisi dans le groupe constitué par NO, N2O, O2 et O3 ; le second gaz additif est au moins un type de gaz choisi dans le groupe constitué par H2O et H22 ; la quantité de β-dicétone dans le gaz de gravure, rapportée au gaz de gravure, est comprise entre 10 % en volume et 90 % en volume ; et la quantité du second gaz additif dans le gaz de gravure, rapportée au gaz de gravure, est comprise entre 0,1 % en volume et 15 % en volume. Ce procédé permet d'améliorer la vitesse de gravure par rapport à un film métallique.
(JA) 基板上の金属膜を、エッチングガスを用いてエッチングするドライエッチング方法であって、前記エッチングガスが、β-ジケトンと第一添加ガスと第二添加ガスを含み、前記金属膜が、前記β-ジケトンと錯体を形成可能な金属元素を含み、前記第一添加ガスが、NO、N2O、O2及びO3からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスであり、前記第二添加ガスが、H2O及びH22からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスであり、前記エッチングガスに含まれる前記β-ジケトンの量が、前記エッチングガスに対して10体積%以上90体積%以下であり、前記エッチングガスに含まれる前記第二添加ガスの量が、前記エッチングガスに対して0.1体積%以上15体積%以下であることを特徴とする。この方法により、金属膜のエッチング速度を向上させることができる。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)