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1. (WO2018125246) LARGE SCALE INTEGRATION OF HAPTIC DEVICES
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional   

№ de pub.: WO/2018/125246 № do pedido internacional: PCT/US2016/069633
Data de publicação: 05.07.2018 Data de depósito internacional: 31.12.2016
CIP:
H01L 41/09 (2006.01) ,H01L 41/193 (2006.01) ,H01L 41/25 (2013.01) ,H01L 41/27 (2013.01) ,G06F 3/01 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
41
Dispositivos piezoelétricos, em geral; Dispositivos eletrostritivos em geral; Dispositivos magnetostritivos em geral; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento desses dispositivos ou de suas partes; Detalhes dos mesmos
08
Elementos piezoelétricos ou eletrostritivos
09
com entrada elétrica e saída mecânica
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
41
Dispositivos piezoelétricos, em geral; Dispositivos eletrostritivos em geral; Dispositivos magnetostritivos em geral; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento desses dispositivos ou de suas partes; Detalhes dos mesmos
16
Seleção de materiais
18
para elementos piezoelétricos ou eletrostritivos
193
Composições macromoleculares
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
41
Dispositivos piezoelétricos, em geral; Dispositivos eletrostritivos em geral; Dispositivos magnetostritivos em geral; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento desses dispositivos ou de suas partes; Detalhes dos mesmos
22
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a montagem, fabricação ou o tratamento de dispositivos piezoelétricos ou eletrostritivos ou de suas partes
25
Dispositivos de montagem que incluem partes piezoelétricas e eletrostritivas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
41
Dispositivos piezoelétricos, em geral; Dispositivos eletrostritivos em geral; Dispositivos magnetostritivos em geral; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento desses dispositivos ou de suas partes; Detalhes dos mesmos
22
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a montagem, fabricação ou o tratamento de dispositivos piezoelétricos ou eletrostritivos ou de suas partes
27
Fabricação de dispositivos piezoelétricos ou eletrostritivos multicamadas ou suas partes p. ex., pelo empilhamento de corpos e eletrodos piezoelétricos
G FÍSICA
06
CÔMPUTO; CÁLCULO; CONTAGEM
F
PROCESSAMENTO ELÉTRICO DE DADOS DIGITAIS
3
Disposições de entrada para transferir dados a serem processados para uma forma capaz de ser manipulada pelo computador; disposições de saída para transferir dados da unidade de processamento para a unidade de saída, p. ex., disposição de interface
01
Disposições de entrada ou disposições combinadas de entrada e saída para interação entre usuário e computador
Requerentes:
FACEBOOK TECHNOLOGIES, LLC [US/US]; 1601 Willow Road Menlo Park, CA 94025, US
Inventores:
KELLER, Sean Jason; US
TRUTNA, Tristan Thomas; US
Mandatário:
HULSE, Robert A.; US
AHN, Dohyun; US
BRANNON, Brian, G.; US
BINGHAM, Jonathan, W.; US
ZHANG, Guang; US
Dados da prioridade:
15/390,88227.12.2016US
Título (EN) LARGE SCALE INTEGRATION OF HAPTIC DEVICES
(FR) INTÉGRATION À GRANDE ÉCHELLE DE DISPOSITIFS HAPTIQUES
Resumo:
(EN) A method for large scale integration of haptic devices is described. The method comprises forming a first elastomer layer of a large scale integration (LSI) device on a substrate according to a specified manufacturing process, the first elastomer layer having a plurality of fluid based circuits, the first elastomer layer adhering to a plurality of formation specifications. The method further comprises curing the first elastomer layer. Additionally, one or more additional elastomer layers of the LSI device are formed with the first elastomer layer according to the specified manufacturing process, the one or more additional elastomer layers having a plurality of fluid based circuits, the one or more additional elastomer layers adhering to the plurality of formation specifications.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'intégration à grande échelle de dispositifs haptiques. Le procédé consiste à former une première couche élastomère d'un dispositif d'intégration à grande échelle (LSI) sur un substrat selon un procédé de fabrication spécifié, la première couche élastomère ayant une pluralité de circuits à base de fluide, la première couche élastomère adhérant à une pluralité de spécifications de formation. Le procédé consiste en outre à durcir la première couche élastomère. De plus, une ou plusieurs couches élastomères supplémentaires du dispositif LSI sont formées avec la première couche élastomère selon le processus de fabrication spécifié, lesdites couches élastomères supplémentaires ayant une pluralité de circuits à base de fluide, lesdites couches élastomères supplémentaires adhérant à la pluralité de spécifications de formation.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)