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1. (WO2018122992) RESIST REMOVAL SOLUTION
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№ de pub.: WO/2018/122992 № do pedido internacional: PCT/JP2016/089014
Data de publicação: 05.07.2018 Data de depósito internacional: 28.12.2016
CIP:
G03F 7/42 (2006.01)
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUÇÃO FOTOMECÂNICA DE SUPERFÍCIES TEXTURIZADAS OU ESTAMPADAS, p. ex., PARA IMPRESSÃO, PARA PROCESSAMENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; MATERIAIS PARA AS MESMAS; ORIGINAIS PARA AS MESMAS; APARELHOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA ESSE FIM
7
Produção fotomecânica, p. ex., fotolitografia, produção de superfícies texturizadas ou estampadas, p. ex., superfícies para impressão; Materiais para esse fim, p. ex., compreendendo fotoresistes; Aparelhos especialmente adaptados para esse fim
26
Processamento de materiais fotossensíveis; Aparelhos para esse fim
42
Descascamento ou agentes para esse fim
Requerentes:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
Inventores:
鬼頭 佑典 KITO Yusuke; --
淵上 真一郎 FUCHIGAMI Shinichirou; --
Mandatário:
廣幸 正樹 HIROKOH Masaki; JP
Dados da prioridade:
Título (EN) RESIST REMOVAL SOLUTION
(FR) SOLUTION D'ÉLIMINATION DE COUCHE DE RÉSERVE
(JA) レジスト剥離液
Resumo:
(EN) In processes for manufacturing semiconductor devices, etc., curing is performed at a temperature higher than in conventional practice to avoid defective curing of resists. A removal solution having a removing power greater than in conventional practice is therefore required. A resist removal solution containing a primary and/or secondary amine as an amine, containing a diethylene glycol monoethyl ether (EDG), a propylene glycol (PG), and water as a polar solvent, and containing hydrazine as an additive, the amine being more than 3.0 mass% and no more than 20.0 mass%, the diethylene glycol monoethyl ether being more than 39.5 mass% and no more than 59.5 mass%, the water being more than 5.18 mass% and less than 28.18 mass%, and the hydrazine being more than 0.064 mass% and no more than 1.28 mass%, wherein the resist removal solution can remove a resist film that was baked at high temperatures, does not cause corrosion at a metal film surface and cross section, and exhibits superior regeneration efficiency when reused.
(FR) Selon l'invention, dans des procédés de fabrication de dispositifs semi-conducteurs, etc., un durcissement est effectué à une température supérieure à celle généralement utilisée afin d'éviter un durcissement défectueux des couches de réserve. Une solution d'élimination présentant une efficacité d'élimination supérieure à celle généralement observée est par conséquent nécessaire. L'invention concerne donc une solution d'élimination de couche de réserve contenant une amine primaire et/ou secondaire en tant qu'amine, un monoéthyléther de diéthylène glycol (EDG), un propylène glycol (PG) et de l'eau en tant que solvant polaire, ainsi que de l'hydrazine en tant qu'additif, l'amine étant présente à hauteur de plus de 3,0 % en masse, mais de pas plus de 20,0 % en masse, l'éther monoéthylique de diéthylène glycol étant présent à hauteur de plus de 39,5 % en masse, mais de pas plus de 59,5 % en masse, l'eau étant présente à hauteur de plus de 5,18 % en masse, mais de moins de 28,18 % en masse, et l'hydrazine étant présente à hauteur de plus de 0,064 % en masse, mais de pas plus de 1,28 % en masse, la solution d'élimination de couche de réserve pouvant éliminer un film de réserve cuit à haute température, ne provoquant pas de corrosion ni au niveau de la surface du film métallique, ni au niveau de sa section transversale et présentant une efficacité de régénération supérieure en cas de réutilisation.
(JA) 半導体装置等の製造プロセスでは、従来より高温度で硬化を行いレジストの硬化不良を回避している。したがって、従来より剥離力の強い剥離液が必要となる。 アミン類として一級若しくは二級アミンの少なくとも一方と、極性溶媒として、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(EDG)と、プロピレングリコール(PG)と、水を含み、添加剤としてヒドラジンを含み、前記アミン類は、3.0質量%より多く、20.0質量%以下であり、前記ジエチレングリコールモノエチルエーテルは、39.5質量%より多く、59.5質量%以下であり、前記水は、5.18質量%より多く、28.18質量%未満であり、前記ヒドラジンは、0.064質量%より多く、1.28%以下あるレジスト剥離液は、高温ベークされたレジスト膜を剥離することができ、金属膜表面や断面への腐食も起こさず、また、再利用時の再生効率がよい。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)