Algum conteúdo deste aplicativo está indisponível no momento.
Se esta situação persistir, por favor entre em contato conoscoFale conosco & Contato
1. (WO2018122357) OPTOELECTRONIC DEVICE WITH LIGHT-EMITTING DIODES
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional    Submeter observação

№ de pub.: WO/2018/122357 № do pedido internacional: PCT/EP2017/084780
Data de publicação: 05.07.2018 Data de depósito internacional: 28.12.2017
CIP:
H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/50 (2010.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
15
incluindo componentes semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície adaptados à emissão de luz
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
25
Montagens, consistindo de vários dispositivos semicondutores individuais ou outros dispositivos de estado sólido
03
todos os dispositivos sendo de um tipo incluído no mesmo subgrupo dos grupos H01L27/-H01L51/128
04
não tendo os dispositivos recipientes separados
075
sendo os dispositivos de um tipo previsto no grupo H01L33/78
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
48
caracterizado pelos encapsulamentos do corpo semicondutor
50
Elementos de conversão de comprimento de onda
Requerentes:
ALEDIA [FR/FR]; 7, Parvis Louis Néel BP 50 38040 GRENOBLE, FR
Inventores:
TAN, Wei Sin; FR
GILET, Philippe; FR
Mandatário:
CABINET BEAUMONT; 4, Place Robert Schuman B.P. 1529 38025 Grenoble Cedex 1, FR
Dados da prioridade:
166350029.12.2016FR
Título (EN) OPTOELECTRONIC DEVICE WITH LIGHT-EMITTING DIODES
(FR) DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE À DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES
Resumo:
(EN) The invention relates toan optoelectronic device (10) comprising light-emitting components (16), each light-emitting component being adapted to emit a first radiation at a first wavelength, and photoluminescent blocks (32), each photoluminescent block facing at least one light-emitting component and comprising a single quantum well or multiple quantum wells (38), photoluminescent blocks being divided into first photoluminescent blocks adapted to convert by optical pumping the first radiation into a second radiation at a second wavelength, second photoluminescent blocks adapted to convert by optical pumping the first radiation into a third radiation at a third wavelength and third photoluminescent blocks adapted to convert by optical pumping the first radiation into a fourth radiation at a fourth wavelength.
(FR) L'invention concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant des composants électroluminescents (16), chaque composant électroluminescent étant conçu pour émettre un premier rayonnement à une première longueur d'onde, et des blocs photoluminescents (32), chaque bloc photoluminescent faisant face à au moins un composant électroluminescent et comprenant un puits quantique unique ou de multiples puits quantiques (38), des blocs photoluminescents étant divisés en premiers blocs photoluminescents conçus pour convertir par pompage optique le premier rayonnement en un deuxième rayonnement à une deuxième longueur d'onde, en deuxièmes blocs photoluminescents conçus pour convertir par pompage optique le premier rayonnement en un troisième rayonnement à une troisième longueur d'onde et en troisièmes blocs photoluminescents conçus pour convertir par pompage optique le premier rayonnement en un quatrième rayonnement à une quatrième longueur d'onde.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)