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1. (WO2018111268) MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH MOLD PATTERNING TO CREATE PACKAGE-LEVEL COMPONENTS FOR HIGH FREQUENCY COMMUNICATION SYSTEMS
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№ de pub.: WO/2018/111268 № do pedido internacional: PCT/US2016/066717
Data de publicação: 21.06.2018 Data de depósito internacional: 14.12.2016
CIP:
H01L 23/66 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 25/04 (2006.01) ,H01L 23/538 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01Q 1/22 (2006.01) ,H01Q 9/04 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
58
Disposições elétricas estruturais não incluídas em outro local para dispositivos semicondutores
64
Disposições relativas à impedância
66
Adaptações para a alta-frequência
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
52
Disposições para conduzir a corrente elétrica dentro do dispositivo, durante seu funcionamento, de um componente para outro
522
que compreendem interconexões externas formadas por uma estrutura multicamada de camadas condutoras e isolantes inseparáveis do corpo semicondutor sobre o qual foram depositadas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
25
Montagens, consistindo de vários dispositivos semicondutores individuais ou outros dispositivos de estado sólido
03
todos os dispositivos sendo de um tipo incluído no mesmo subgrupo dos grupos H01L27/-H01L51/128
04
não tendo os dispositivos recipientes separados
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
52
Disposições para conduzir a corrente elétrica dentro do dispositivo, durante seu funcionamento, de um componente para outro
538
estando a estrutura de interconexão entre uma pluralidade de chips semicondutores, situada no interior ou sobre os substratos isolantes
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
Q
ANTENAS
1
Detalhes de antenas ou dispositivos associados às mesmas
12
Suportes; Meios de montagem
22
por associação estrutural com outros equipamentos ou artigos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
Q
ANTENAS
9
Antenas eletricamente curtas com dimensões não maiores que duas vezes o comprimento de onda de funcionamento e consistindo em elementos condutores ativos de radiação
04
Antenas ressonantes
Requerentes:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard MS: RNB-4-150 Santa Clara, California 95052, US
Inventores:
EID, Feras; US
OSTER, Sasha N.; US
KAMGAING, Telesphor; US
DOGIAMIS, Georgios C.; US
ALEKSOV, Aleksandar; US
Mandatário:
BRASK, Justin, K.; US
Dados da prioridade:
Título (EN) MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH MOLD PATTERNING TO CREATE PACKAGE-LEVEL COMPONENTS FOR HIGH FREQUENCY COMMUNICATION SYSTEMS
(FR) DISPOSITIFS MICROÉLECTRONIQUES CONÇUS AVEC UNE FORMATION DE MOTIFS DE MOULE POUR CRÉER DES COMPOSANTS AU NIVEAU DU BOÎTIER POUR DES SYSTÈMES DE COMMUNICATION HAUTE FRÉQUENCE
Resumo:
(EN) Embodiments of the invention include a microelectronic device that includes a first substrate having radio frequency (RF) components and a second substrate that is coupled to the first substrate. The second substrate includes a first conductive layer of an antenna unit for transmitting and receiving communications at a frequency of approximately 4 GHz or higher. A mold material is disposed on the first and second substrates. The mold material includes a first region that is positioned between the first conductive layer and a second conductive layer of the antenna unit with the mold material being a dielectric material to capacitively couple the first and second conductive layers of the antenna unit.
(FR) Des modes de réalisation de l'invention concernent un dispositif microélectronique qui comprend un premier substrat ayant des composants radiofréquence (RF) et un second substrat qui est couplé au premier substrat. Le second substrat comprend une première couche conductrice d'une unité antenne pour émettre et recevoir des communications à une fréquence d'environ 4 GHz ou plus. Un matériau de moule est disposé sur les premier et second substrats. Le matériau de moule comprend une première région qui est positionnée entre la première couche conductrice et une seconde couche conductrice de l'unité d'antenne, le matériau de moule étant un matériau diélectrique pour coupler de manière capacitive les première et seconde couches conductrices de l'unité d'antenne.
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Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)