Algum conteúdo deste aplicativo está indisponível no momento.
Se esta situação persistir, por favor entre em contato conoscoFale conosco & Contato
1. (WO2018102001) EQUALIZING ERASE DEPTH IN DIFFERENT BLOCKS OF MEMORY CELLS
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional    Submeter observação

№ de pub.: WO/2018/102001 № do pedido internacional: PCT/US2017/050861
Data de publicação: 07.06.2018 Data de depósito internacional: 09.09.2017
CIP:
G11C 16/34 (2006.01) ,G11C 16/16 (2006.01)
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
16
Memórias somente para leitura, programáveis e apagáveis (EPROM)
02
programáveis eletricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ex., para escrita dentro da memória
34
Determinação de programação de estado, p. ex., tensão de limiar, acima da programação ou abaixo da programação, retenção
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
16
Memórias somente para leitura, programáveis e apagáveis (EPROM)
02
programáveis eletricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ex., para escrita dentro da memória
10
Circuitos de programação ou de entrada de dados
14
Circuitos para apagar eletricamente, p. ex., circuitos de comutação para apagar a tensão elétrica
16
para apagar blocos, p. ex., arranjos, palavras, grupos
Requerentes:
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventores:
ZHANG, Zhengyi; US
PANG, Liang; US
ZENG, Caifu; US
YU, Xuehong; US
DONG, Yingda; US
Mandatário:
MAGEN, Burt; US
Dados da prioridade:
15/367,54902.12.2016US
Título (EN) EQUALIZING ERASE DEPTH IN DIFFERENT BLOCKS OF MEMORY CELLS
(FR) ÉGALISATION DE PROFONDEUR D'EFFACEMENT DANS DIFFÉRENTS BLOCS DE CELLULES DE MÉMOIRE
Resumo:
(EN) A memory device and associated techniques provide a uniform erase depth for different blocks of memory cells which are at different distances from pass gates of a voltage source. In one approach, a voltage of a source side select gate transistor of a memory string is a decreasing function of the distance. In another approach, a magnitude or duration of an erase voltage at a source end of a memory string is an increasing function of the distance. Adjacent blocks can be arranged in subsets and treated as being at a common distance. In another approach, an additional erase pulse can be applied when the distance of the block exceeds a threshold. Other variables such as initial erase voltage and step size can also be adjusted as a function of distance.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire et des techniques associées fournissant une profondeur d'effacement uniforme pour différents blocs de cellules de mémoire qui sont à des distances différentes des grilles de passage d'une source de tension. Selon une approche, une tension d'un transistor à grille de sélection côté source d'une chaîne de mémoire est une fonction décroissante de la distance. Selon une autre approche, une amplitude ou une durée d'une tension d'effacement à une extrémité source d'une chaîne de mémoire est une fonction croissante de la distance. Des blocs adjacents peuvent être agencés en sous-ensembles et traités comme étant à une distance commune. Selon une autre approche, une impulsion d'effacement supplémentaire peut être appliquée lorsque la distance du bloc dépasse un seuil. D'autres variables telles que la tension d'effacement initiale et la taille de l'étape peuvent également être réglées en fonction de la distance.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)