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1. (WO2018101468) ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT
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№ de pub.: WO/2018/101468 № do pedido internacional: PCT/JP2017/043339
Data de publicação: 07.06.2018 Data de depósito internacional: 01.12.2017
CIP:
H05K 1/16 (2006.01) ,H01G 4/12 (2006.01) ,H01G 4/33 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H05K 3/46 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
K
CIRCUITOS IMPRESSOS; INVÓLUCROS OU DETALHES ESTRUTURAIS DE APARELHOS ELÉTRICOS; FABRICAÇÃO DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELÉTRICOS
1
Circuitos impressos
16
incorporando componentes elétricos impressos, p. ex., resistor, capacitor, indutâncias impressas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
G
CAPACITORES; CAPACITORES, RETIFICADORES, DETECTORES, DISPOSITIVOS DE CHAVEAMENTO, DISPOSITIVOS SENSÍVEIS À LUZ, OU DISPOSITIVOS SENSÍVEIS À TEMPERATURA DO TIPO ELETROLÍTICO
4
Capacitores fixos; Processos para sua fabricação
002
Detalhes
018
Dielétricos
06
Dielétricos sólidos
08
Dielétricos inorgânicos
12
Dielétricos cerâmicos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
G
CAPACITORES; CAPACITORES, RETIFICADORES, DETECTORES, DISPOSITIVOS DE CHAVEAMENTO, DISPOSITIVOS SENSÍVEIS À LUZ, OU DISPOSITIVOS SENSÍVEIS À TEMPERATURA DO TIPO ELETROLÍTICO
4
Capacitores fixos; Processos para sua fabricação
33
Capacitores de filme fino ou espesso
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
12
Montagens, p. ex., substratos isolantes não-separáveis
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
K
CIRCUITOS IMPRESSOS; INVÓLUCROS OU DETALHES ESTRUTURAIS DE APARELHOS ELÉTRICOS; FABRICAÇÃO DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELÉTRICOS
3
Aparelhos ou processos para a fabricação de circuitos impressos
46
Fabricação de circuitos de camadas múltiplas
Requerentes:
凸版印刷株式会社 TOPPAN PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都台東区台東一丁目5番1号 5-1, Taito 1-chome, Taito-ku, Tokyo 1100016, JP
Inventores:
▲高▼城 総夫 TAKAGI, Fusao; JP
中村 清智 NAKAMURA, Kiyotomo; JP
Mandatário:
蔵田 昌俊 KURATA, Masatoshi; JP
野河 信久 NOGAWA, Nobuhisa; JP
河野 直樹 KOHNO, Naoki; JP
井上 正 INOUE, Tadashi; JP
Dados da prioridade:
2016-23527702.12.2016JP
Título (EN) ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANT ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子部品及び電子部品製造方法
Resumo:
(EN) An electronic component according to the present invention is provided with: a glass base material 100 having a through-hole 101 formed so as to pass through both surfaces thereof; an insulating resin layer 120 that is stacked on each of both surfaces of the glass base material 100 and that has a copper-plated layer 103 formed in the interior thereof; and a capacitor 109 having a lower electrode 110 formed on the copper-plated layer 103, a dielectric layer 111 formed so as to be stacked on the lower electrode 110, and an upper electrode 112 formed so as to be stacked on the dielectric layer 111. A region of the upper electrode 112, said region being along the surface of the copper-plated layer 103, is formed so as to be smaller than a region of the dielectric layer 111, said region being along the surface of the copper-plated layer 103, and a region of the lower electrode 110, said region being along the surface of the copper-plated layer 103. This provides a glass core substrate having a thin-film capacitor with a highly reliable MIM structure and also achieves a compact size, a small thickness, and high reliability.
(FR) La présente invention concerne un composant électronique qui comporte : un matériau de base (100) en verre ayant un trou traversant (101) formé de manière à traverser ses deux surfaces ; une couche de résine isolante (120) qui est empilée sur chacune de deux surfaces du matériau de base (100) en verre et à l’intérieur de laquelle est formée une couche à placage de cuivre (103) ; et un condensateur (109) ayant une électrode inférieure (110) formée sur la couche à placage de cuivre (103), une couche diélectrique (111) formée de manière à être empilée sur l’électrode inférieure (110), et une électrode supérieure (112) formée de manière à être empilée sur la couche diélectrique (111). Une zone de l’électrode supérieure (112), ladite zone étant le long de la surface de la couche à placage de cuivre (103), est formée de manière à être plus petite qu’une zone de la couche diélectrique (111), ladite zone étant le long de la surface de la couche à placage de cuivre (103), et une zone de l’électrode inférieure (110), ladite zone étant le long de la surface de la couche à placage de cuivre (103). Cela permet de réaliser un substrat à noyau de verre ayant un condensateur à couche mince avec une structure MIM à haute fiabilité et d’obtenir une taille compacte, une petite épaisseur, et une haute fiabilité.
(JA) 電子部品は、両面を貫通する貫通孔101が形成されたガラス基材100と、ガラス基材100の両面に積層され、内部に銅めっき層103が形成された絶縁樹脂層120と、銅めっき層103上に形成された下部電極110と、下部電極110上に積層形成される誘電体層111と、誘電体層111上に積層形成される上部電極112とを有するキャパシタ109とを備え、上部電極112における銅めっき層103の面に沿った領域は、誘電体層111の銅めっき層103の面に沿った領域及び下部電極110の銅めっき層103の面に沿った領域よりも小さく形成されることで、信頼性の高いMIM構造の薄膜キャパシタを有するガラスコア基板を有すると共に、小型化・薄型化・高信頼化を実現できる。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)