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1. (WO2018088532) ETCHING DEVICE AND ETCHING METHOD
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№ de pub.: WO/2018/088532 № do pedido internacional: PCT/JP2017/040614
Data de publicação: 17.05.2018 Data de depósito internacional: 10.11.2017
CIP:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
302
para mudar as características físicas ou a forma de sua superfície, p. ex., gravação, polimento, recorte
306
Tratamento químico ou elétrico, p. ex., cauterização eletrolítica
3065
Gravação por plasma; Gravação por íon reativo
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
H
TÉCNICA DO PLASMA; PRODUÇÃO DE PARTÍCULAS ACELERADAS CARREGADAS ELETRICAMENTE OU DE NÊUTRONS; PRODUÇÃO OU ACELERAÇÃO DE FEIXES MOLECULARES OU ATÔMICOS NEUTROS
1
Produção do plasma; Manipulação do plasma
24
Produção do plasma
46
usando campos eletromagnéticos aplicados, p. ex., energia de alta frequência ou de micro-onda
Requerentes:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 大阪府吹田市山田丘1番1号 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871, JP
Inventores:
大参 宏昌 OHMI Hiromasa; JP
久保田 雄介 KUBOTA Yusuke; JP
Mandatário:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柏岡 潤二 KASHIOKA Junji; JP
Dados da prioridade:
2016-22004810.11.2016JP
Título (EN) ETCHING DEVICE AND ETCHING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE GRAVURE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) エッチング装置及びエッチング方法
Resumo:
(EN) An etching method for emitting plasma which has reactive radicals, wherein the processing gas used to form the plasma contains an etching gas containing H2 gas, and also contains a surface-modifying gas containing one or more types of gas selected from the group consisting of N2, NH3, H2O and CO2, and as a result, it is possible to improve the etching rate and suppress an increase in surface roughness when etching.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure pour émettre un plasma qui a des radicaux réactifs, le gaz de traitement utilisé pour former le plasma contenant un gaz de gravure contenant un gaz H2, et contenant également un gaz de modification de surface contenant un ou plusieurs types de gaz choisis dans le groupe constitué par N2, NH3, H2O et CO2, et en conséquence, il est possible d'améliorer la vitesse de gravure et de supprimer toute augmentation de la rugosité de surface lors de la gravure.
(JA) 反応性ラジカルを有するプラズマを照射するエッチング方法において、プラズマ形成に用いられる処理ガスは、Hガスを含むエッチングガスと、N、NH、HO及びCOからなる群から選択される少なくとも1種のガスを含む表面改質ガスとを含んでおり、エッチングレートを向上すると共にエッチングの際の表面粗さの増加を抑制することができる。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)