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1. (WO2018066547) OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
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№ de pub.: WO/2018/066547 № do pedido internacional: PCT/JP2017/035939
Data de publicação: 12.04.2018 Data de depósito internacional: 03.10.2017
CIP:
C04B 35/01 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
C QUÍMICA; METALURGIA
04
CIMENTO; CONCRETO; PEDRA ARTIFICIAL; CERÂMICA; REFRATÁRIOS
B
CAL; MAGNÉSIA; ESCÓRIA; CIMENTOS; SUAS COMPOSIÇÕES, p. ex., ARGAMASSA, CONCRETO OU MATERIAIS DE CONSTRUÇÕES SIMILARES; PEDRA ARTIFICIAL; CERÂMICA; REFRATÁRIOS; TRATAMENTO DA PEDRA NATURAL
35
Produtos modelados de cerâmica caracterizados por sua composição; Composições de cerâmica; Processamento de pós de compostos inorgânicos, preparatório para manufatura de produtos cerâmicos
01
baseado em óxidos
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
14
Revestimento por evaporação a vácuo, por pulverização catódica ou por implantação de ions do material
06
caracterizado pelo material de revestimento
08
Óxidos
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
14
Revestimento por evaporação a vácuo, por pulverização catódica ou por implantação de ions do material
22
caracterizado pelo processo de revestimento
34
Pulverização catódica
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
68
controláveis unicamente pela corrente elétrica fornecida ou pelo potencial elétrico aplicado a um eletrodo que não conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efeito de campo
78
com o efeito de campo produzido por uma porta isolada
786
Transistores de filme fino
Requerentes:
出光興産株式会社 IDEMITSU KOSAN CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321, JP
Inventores:
井上 一吉 INOUE, Kazuyoshi; JP
柴田 雅敏 SHIBATA, Masatoshi; JP
笘井 重和 TOMAI, Shigekazu; JP
Mandatário:
特許業務法人平和国際特許事務所 HEIWA INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都千代田区神田須田町一丁目26番地 芝信神田ビル3階 Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor, 26, Kanda Suda-cho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010041, JP
Dados da prioridade:
2016-19614304.10.2016JP
Título (EN) OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
(FR) CORPS FRITTÉ À BASE D'OXYDE ET CIBLE DE PULVÉRISATION
(JA) 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット
Resumo:
(EN) An oxide sintered body which contains a perovskite phase and a bixbyite phase represented by In2O3.
(FR) L'invention concerne un corps fritté à base d'oxyde qui contient une phase pérovskite et une phase bixbyite représentée par In2O3
(JA) ペロブスカイト相及びInで表されるビックスバイト相を含む酸化物焼結体。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)