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1. (WO2018063400) MULTI-CHIP PACKAGE WITH HIGH DENSITY INTERCONNECTS
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/2018/063400 № do pedido internacional: PCT/US2016/055023
Data de publicação: 05.04.2018 Data de depósito internacional: 30.09.2016
CIP:
H01L 25/18 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
25
Montagens, consistindo de vários dispositivos semicondutores individuais ou outros dispositivos de estado sólido
18
os dispositivos dos tipos incluídos em dois ou mais diferentes subgrupos do mesmo grupo principal dos grupos H01L27/-H01L51/160
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
25
Montagens, consistindo de vários dispositivos semicondutores individuais ou outros dispositivos de estado sólido
03
todos os dispositivos sendo de um tipo incluído no mesmo subgrupo dos grupos H01L27/-H01L51/128
04
não tendo os dispositivos recipientes separados
065
sendo os dispositivos de um tipo previsto no grupo H01L27/78
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
Requerentes:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Inventores:
ALEKSOV, Aleksandar; US
ELSHERBINI, Adel A.; US
DARMAWIKARTA, Kristof; US
MAY, Robert A.; US
BOYAPATI, Sri Ranga Sai; US
Mandatário:
GUGLIELMI, David, L.; US
Dados da prioridade:
Título (EN) MULTI-CHIP PACKAGE WITH HIGH DENSITY INTERCONNECTS
(FR) BOÎTIER MULTI-PUCE À INTERCONNEXIONS HAUTE DENSITÉ
Resumo:
(EN) An apparatus is provided which comprises: a plurality of first conductive contacts having a first pitch spacing on a substrate surface, a plurality of second conductive contacts having a second pitch spacing on the substrate surface, and a plurality of conductive interconnects disposed within the substrate to couple a first grouping of the plurality of second conductive contacts associated with a first die site with a first grouping of the plurality of second conductive contacts associated with a second die site and to couple a second grouping of the plurality of second conductive contacts associated with the first die site with a second grouping of the plurality of second conductive contacts associated with the second die site, wherein the conductive interconnects to couple the first groupings are present in a layer of the substrate above the conductive interconnects to couple the second groupings. Other embodiments are also disclosed and claimed.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend : une pluralité de premiers contacts conducteurs ayant un premier espacement de pas sur une surface de substrat, une pluralité de seconds contacts conducteurs ayant un second espacement de pas sur la surface de substrat, et une pluralité d'interconnexions conductrices disposées à l'intérieur du substrat pour coupler un premier groupement de la pluralité de seconds contacts conducteurs associés à un premier site de puce avec un premier groupement de la pluralité de seconds contacts conducteurs associés à un second site de puce et pour coupler un second groupement de la pluralité de seconds contacts conducteurs associés au premier site de puce avec un second groupement de la pluralité de seconds contacts conducteurs associés au second site de puce, les interconnexions conductrices pour coupler les premiers groupements étant présentes dans une couche du substrat au-dessus des interconnexions conductrices pour coupler les seconds groupements. L'invention se rapporte également à d'autres modes de réalisation.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Inglês (EN)
Língua de depósito: Inglês (EN)
Também publicado como:
US20190198447