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1. (WO2018060570) STRUCTURE COMPRISING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR ISLANDS AND PROCESS FOR MAKING SUCH A STRUCTURE
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№ de pub.: WO/2018/060570 № do pedido internacional: PCT/FR2017/052529
Data de publicação: 05.04.2018 Data de depósito internacional: 21.09.2017
Pedido de exame (capítulo 2) depositado: 27.03.2018
CIP:
H01L 21/20 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
20
Depósito de materiais semicondutores em uma base, p. ex., crescimento epitaxial
Requerentes:
SOITEC [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 Bernin, FR
Inventores:
SOTTA, David; FR
KONONCHUK, Oleg; FR
BETHOUX, Jean-Marc; FR
Mandatário:
BREESE, Pierre; FR
Dados da prioridade:
165934329.09.2016FR
Título (EN) STRUCTURE COMPRISING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR ISLANDS AND PROCESS FOR MAKING SUCH A STRUCTURE
(FR) STRUCTURE COMPRENANT DES ILOTS SEMI-CONDUCTEURS MONOCRISTALLINS, PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE STRUCTURE
Resumo:
(EN) The invention relates to a structure (10) for producing at least one active layer made of a III-V material (6), comprising a substrate composed of a carrier (2) having a main face, of a dielectric layer (3) located on the main face of the carrier, and of a plurality of single-crystal semiconductor islands (4) located directly on the dielectric layer (3), the islands having an upper surface in order to serve as seed for the growth of the active layer. According to the invention, the structure comprises a bonding layer (5) located between the single-crystal semiconductor islands (4), directly on the portion of the dielectric layer (3) that is not covered by the islands (4), without masking the upper surface of the islands (4), so that the dielectric layer (3) is no longer exposed to its environment.
(FR) L'invention porte sur une structure (10) pour l'élaboration d'au moins une couche active en matériau III-V (6) comprenant un substrat formé d'un support (2) présentant une face principale, d'une couche diélectrique (3) disposée sur la face principale du support, et d'une pluralité d'îlots semi-conducteurs monocristallins (4) disposée directement sur la couche diélectrique (3), les îlots présentant une surface supérieure pour servir de germe à la croissance de la couche active. Selon l'invention la structure comprend une couche d'accroché (5) disposée entre les îlots semi-conducteurs monocristallins (4), directement sur la portion de la couche diélectrique (3) qui n'est pas recouverte par les îlots (4), sans masquer la surface supérieure des îlots (4), de sorte que la couche diélectrique (3) ne soit plus exposée à son environnement.
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Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Francês (FR)
Língua de depósito: Francês (FR)