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1. (WO2018059108) SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS COMPRISING SAME
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№ de pub.: WO/2018/059108 № do pedido internacional: PCT/CN2017/095130
Data de publicação: 05.04.2018 Data de depósito internacional: 31.07.2017
CIP:
H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/10 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
02
caracterizados por seus corpos semicondutores
06
caracterizados por seu formato; caracterizados pelos formatos, dimensões relativas ou disposições das regiões semicondutoras
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
02
caracterizados por seus corpos semicondutores
06
caracterizados por seu formato; caracterizados pelos formatos, dimensões relativas ou disposições das regiões semicondutoras
10
com regiões semicondutoras ligadas a um eletrodo não conduzindo corrente a ser retificada, amplificada ou comutada, sendo esse eletrodo parte de um dispositivo semicondutor que compreende três ou mais eletrodos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
334
Processos de várias etapas para a fabricação de dispositivos do tipo unipolar
335
Transistores de efeito de campo
336
com uma porta isolada
Requerentes:
中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区北土城西路3号 No.3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029, CN
Inventores:
朱慧珑 ZHU, Huilong; US
Mandatário:
中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 中国北京市 海淀区西三环北路87号4-1105室 Suite 4-1105, No. 87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089, CN
Dados da prioridade:
201610872541.230.09.2016CN
201710530297.630.06.2017CN
Título (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS COMPRISING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE LE COMPRENANT
(ZH) 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
Resumo:
(EN) A semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus comprising same. The semiconductor device comprises: a substrate (1001); a first device and a second device formed on the substrate (1001), wherein the first device and second device respectively comprise a first source/drain layer (1031), a trench layer (1003), and a second source/drain layer (1005) sequentially stacked on the substrate (1001); and a gate stack formed around a periphery of the trench layer (1003), wherein the trench layer (1003p) of the first device and the trench layer (1003n) of the second device are substantially coplanar, and the second source/drain layer (1005) of the first device has a different stress than the second source/drain layer of the second device.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur, son procédé de fabrication, et un appareil électronique le comprenant. Le dispositif semi-conducteur comprend : un substrat (1001); un premier dispositif et un second dispositif formés sur le substrat (1001), le premier dispositif et le second dispositif comprenant respectivement une première couche de source/drain (1031), une couche de tranchée (1003), et une seconde couche de source/drain (1005) empilées séquentiellement sur le substrat (1001); et un empilement de grille formé autour d'une périphérie de la couche de tranchée (1003), la couche de tranchée (1003p) du premier dispositif et la couche de tranchée (1003n) du second dispositif sont sensiblement coplanaires, et la seconde couche de source/drain (1005) du premier dispositif a une contrainte différente de celle de la seconde couche de source/drain du second dispositif.
(ZH) 一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。半导体器件包括:衬底(1001);在衬底(1001)上形成的第一器件和第二器件,第一器件和第二器件分别包括:依次叠置在衬底(1001)上的第一源/漏层(1031)、沟道层(1003)和第二源/漏层(1005);以及绕沟道层(1003)的外周形成的栅堆叠,其中,第一器件的沟道层(1003p)与第二器件的沟道层(1003n)基本共面,且第一器件和第二器件各自的第二源/漏层(1005)中带有不同的应力。
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Língua de publicação: chinês (ZH)
Língua de depósito: chinês (ZH)