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1. (WO2018044904) SPECTRAL REFLECTOMETRY FOR IN-SITU PROCESS MONITORING AND CONTROL
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional    Submeter observação

№ de pub.: WO/2018/044904 № do pedido internacional: PCT/US2017/049138
Data de publicação: 08.03.2018 Data de depósito internacional: 29.08.2017
CIP:
G01N 21/95 (2006.01) ,G01N 21/55 (2006.01) ,G01N 21/25 (2006.01) ,G01N 21/88 (2006.01) ,G01N 21/956 (2006.01)
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
21
Investigação ou análise de materiais pelo uso de meios ópticos, i.e., usando raios infravermelhos, visíveis ou ultravioletas
84
Sistemas especialmente adaptados para aplicações especiais
88
Investigação da presença de falhas, defeitos ou contaminação
95
caracterizado pelo material ou formato do objeto a ser examinado
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
21
Investigação ou análise de materiais pelo uso de meios ópticos, i.e., usando raios infravermelhos, visíveis ou ultravioletas
17
Sistemas nos quais a luz incidente é modificada em concordância com as propriedades do material investigado
55
Refletividade especular
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
21
Investigação ou análise de materiais pelo uso de meios ópticos, i.e., usando raios infravermelhos, visíveis ou ultravioletas
17
Sistemas nos quais a luz incidente é modificada em concordância com as propriedades do material investigado
25
Cor; Propriedades espectrais, i.e., comparação do material sobre a luz em dois ou mais comprimentos de ondas diferentes ou faixas de comprimento de ondas
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
21
Investigação ou análise de materiais pelo uso de meios ópticos, i.e., usando raios infravermelhos, visíveis ou ultravioletas
84
Sistemas especialmente adaptados para aplicações especiais
88
Investigação da presença de falhas, defeitos ou contaminação
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
21
Investigação ou análise de materiais pelo uso de meios ópticos, i.e., usando raios infravermelhos, visíveis ou ultravioletas
84
Sistemas especialmente adaptados para aplicações especiais
88
Investigação da presença de falhas, defeitos ou contaminação
95
caracterizado pelo material ou formato do objeto a ser examinado
956
Pela inspeção de padrões na superfície de objetos
Requerentes:
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Dept. One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventores:
JAIN, Prateek; US
WACK, Daniel; US
PETERLINZ, Kevin; US
SHCHEGROV, Andrei; US
KRISHNAN, Shankar; US
Mandatário:
MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M.N.; US
Dados da prioridade:
15/688,75128.08.2017US
62/380,74829.08.2016US
Título (EN) SPECTRAL REFLECTOMETRY FOR IN-SITU PROCESS MONITORING AND CONTROL
(FR) RÉFLECTOMÉTRIE SPECTRALE POUR SURVEILLANCE ET RÉGULATION IN SITU DE PROCESSUS
Resumo:
(EN) Methods and systems for performing in-situ, selective spectral reflectometry (SSR) measurements of semiconductor structures disposed on a wafer are presented herein. Illumination light reflected from a wafer surface is spatially imaged. Signals from selected regions of the image are collected and spectrally analyzed, while other portions of the image are discarded. In some embodiments, a SSR includes a dynamic mirror array (DMA) disposed in the optical path at or near a field plane conjugate to the surface of the semiconductor wafer under measurement. The DMA selectively blocks the undesired portion of wafer image. In other embodiments, a SSR includes a hyperspectral imaging system including a plurality of spectrometers each configured to collect light from a spatially distinct area of a field image conjugate to the wafer surface. Selected spectral signals associated with desired regions of the wafer image are selected for analysis.
(FR) L'invention concerne des procédés et des systèmes pour la réalisation in situ de mesures de réflectométrie spectrale sélective (SSR) concernant des structures semi-conductrices disposées sur une tranche. Une lumière d'éclairage réfléchie par la surface d'une tranche est imagée spatialement. Des signaux provenant de régions sélectionnées de l'image sont recueillis et analysés spectralement, tandis que d'autres parties de l'image sont rejetées. Dans certains modes de réalisation, une SSR fait intervenir un réseau de miroirs dynamiques (DMA) disposé sur le trajet optique au niveau ou à proximité d'un plan de champ conjugué à la surface de la tranche à semi-conducteurs faisant l'objet des mesures. Le DMA bloque sélectivement la partie non souhaitée de l'image de la tranche. Dans d'autres modes de réalisation, une SSR fait intervenir un système d'imagerie hyperspectrale comprenant une pluralité de spectromètres configurés chacun pour recueillir de la lumière en provenance d'une zone spatialement distincte d'une image de champ conjuguée à la surface de la tranche. Des signaux spectraux sélectionnés associés à des régions souhaitées de l'image de la tranche sont sélectionnés en vue de leur analyse.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)