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1. (WO2018044167) METHOD OF AND SYSTEM FOR PERFORMING DEFECT DETECTION ON OR CHARACTERIZATION OF A LAYER OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT OR SEMI-MANUFACTURED SEMICONDUCTOR ELEMENT
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№ de pub.: WO/2018/044167 № do pedido internacional: PCT/NL2017/050575
Data de publicação: 08.03.2018 Data de depósito internacional: 31.08.2017
CIP:
H01L 21/66 (2006.01) ,G01N 29/00 (2006.01) ,G01Q 60/32 (2010.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
66
Teste ou medição durante a fabricação ou durante o tratamento
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
29
Investigação ou análise de materiais pelo uso de ondas ultrassônicas, sônicas ou infrassônicas; visualização do interior de objetos pela transmissão através do mesmo de ondas ultrassônicas ou sônicas
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
Q
TÉCNICAS OU APARELHOS DE VARREDURA POR SONDA; APLICAÇÕES DE TÉCNICAS DE VARREDURA POR SONDA, p. ex. MICROSCOPIA DE VARREDURA POR SONDA [SPM]
60
Tipos particulares de SPM [Microscopia por Varredura por Sonda] ou aparelhos correlatos; Componentes essenciais correlatos
24
AFM [Microscopia de Força Atômica] ou aparelhos correlatos, p. ex. pontas de prova AFM
32
Em modo de corrente alternada
Requerentes:
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Anna van Buerenplein 1 2595 DA 's-Gravenhage, NL
Inventores:
SADEGHIAN MARNANI, Hamed; NL
VAN ES, Maarten Hubertus; NL
MEIJER TIMMERMAN THIJSSEN, Rutger; NL
Mandatário:
JANSEN, C.M.; V.O. P.O. Box 87930 2508 DH Den Haag, NL
Dados da prioridade:
16186518.331.08.2016EP
Título (EN) METHOD OF AND SYSTEM FOR PERFORMING DEFECT DETECTION ON OR CHARACTERIZATION OF A LAYER OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT OR SEMI-MANUFACTURED SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE RÉALISATION D'UNE DÉTECTION DE DÉFAUT SUR UNE COUCHE OU D'UNE CARACTÉRISATION D'UNE COUCHE D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OU D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR SEMI-MANUFACTURÉ
Resumo:
(EN) The present document relates to a method of performing defect detection on a self-assembled monolayer of a semiconductor element or semi- manufactured semiconductor element, using an atomic force microscopy system. The system comprises a probe with a probe tip, and is configured for positioning the probe tip relative to the element for enabling contact between the probe tip and a surface of the element. The system comprises a sensor providing an output signal indicative of a position of the probe tip. The method comprises: scanning the surface with the probe tip; applying an acoustic vibration signal to the element; obtaining the output signal indicative of the position of the probe tip; monitoring probe tip motion during said scanning for mapping the surface of the semiconductor element, and using a fraction of the output signal for mapping contact stiffness indicative of a binding strength.
(FR) La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une détection de défaut sur une monocouche auto-assemblée d'un élément semi-conducteur ou d'un élément semi-conducteur semi-manufacturé, à l'aide d'un système de microscopie à force atomique. Le système comprend une sonde dotée d'une pointe de sonde, et est conçu pour positionner la pointe de sonde par rapport à l'élément pour permettre un contact entre la pointe de sonde et une surface de l'élément. Le système comprend un capteur fournissant un signal de sortie indiquant la position de la pointe de sonde. Le procédé consiste à : balayer la surface avec la pointe de sonde ; appliquer un signal de vibration acoustique à l'élément ; obtenir le signal de sortie indiquant la position de la pointe de sonde ; surveiller le mouvement de la pointe de sonde pendant ledit balayage pour cartographier la surface de l'élément semi-conducteur, et utiliser une fraction du signal de sortie pour cartographier une rigidité de contact indiquant une force de liaison.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)