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1. (WO2018042892) ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
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№ de pub.: WO/2018/042892 № do pedido internacional: PCT/JP2017/025277
Data de publicação: 08.03.2018 Data de depósito internacional: 11.07.2017
CIP:
G03F 7/039 (2006.01) ,C08F 220/28 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUÇÃO FOTOMECÂNICA DE SUPERFÍCIES TEXTURIZADAS OU ESTAMPADAS, p. ex., PARA IMPRESSÃO, PARA PROCESSAMENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; MATERIAIS PARA AS MESMAS; ORIGINAIS PARA AS MESMAS; APARELHOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA ESSE FIM
7
Produção fotomecânica, p. ex., fotolitografia, produção de superfícies texturizadas ou estampadas, p. ex., superfícies para impressão; Materiais para esse fim, p. ex., compreendendo fotoresistes; Aparelhos especialmente adaptados para esse fim
004
Materiais fotossensíveis
039
Compostos macromoleculares que são fotodegradáveis p. ex., resistentes positivos sensíveis aos elétrons
C QUÍMICA; METALURGIA
08
COMPOSTOS MACROMOLECULARES ORGÂNICOS; SUA PREPARAÇÂO OU SEU PROCESSAMENTO QUÍMICO; COMPOSIÇÕES BASEADAS NOS MESMOS
F
COMPOSTOS MACROMOLECULARES OBTIDOS POR REAÇÕES COMPREENDENDO APENAS LIGAÇÕES INSATURADAS CARBONO-CARBONO
220
Copolímeros de compostos tendo um ou mais radicais alifáticos insaturados, tendo cada qual apenas uma ligação dupla carbono-carbono, e sendo apenas um terminado por um único radical carboxila ou um sal, anidrido, éster, amida, imida ou nitrila do mesmo
02
Ácidos monocarboxílicos tendo menos de dez átomos de carbono; Seus derivados
10
Ésteres
26
Ésteres contendo oxigênio além do oxigênio carboxi
28
não contendo anéis aromáticos ou resíduo alcoólico
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUÇÃO FOTOMECÂNICA DE SUPERFÍCIES TEXTURIZADAS OU ESTAMPADAS, p. ex., PARA IMPRESSÃO, PARA PROCESSAMENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; MATERIAIS PARA AS MESMAS; ORIGINAIS PARA AS MESMAS; APARELHOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA ESSE FIM
7
Produção fotomecânica, p. ex., fotolitografia, produção de superfícies texturizadas ou estampadas, p. ex., superfícies para impressão; Materiais para esse fim, p. ex., compreendendo fotoresistes; Aparelhos especialmente adaptados para esse fim
20
Exposição; aparelhos para esse fim
Requerentes:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布２丁目２６番３０号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventores:
畠山　直也 HATAKEYAMA Naoya; JP
米久田　康智 YONEKUTA Yasunori; JP
福原　敏明 FUKUHARA Toshiaki; JP
冨賀　敬充 TOMIGA Takamitsu; JP
吉野　文博 YOSHINO Fumihiro; JP
Mandatário:
中島　順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉　潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上　泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
Dados da prioridade:
2016-16831630.08.2016JP
2016-25013022.12.2016JP
Título (EN) ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU SENSIBLE AU RAYONNEMENT, FILM SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU SENSIBLE AU RAYONNEMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
Resumo:
(EN) Provided are: an active light sensitive or radiation sensitive resin composition which enables accurate performance evaluation of a resist pattern obtained from a thick resist film; an active light sensitive or radiation sensitive film; a pattern forming method; and a method for manufacturing an electronic device. This active light sensitive or radiation sensitive resin composition contains a resin that has a repeating unit having an alkyleneoxy chain and a repeating unit having an aromatic group, and has a solid content concentration of 10% by mass or more. This pattern forming method has (i) a step for forming an active light sensitive or radiation sensitive film having a film thickness of 1 μm or more on a substrate with use of an active light sensitive or radiation sensitive resin composition which contains a resin that has a repeating unit having an alkyleneoxy chain.
(FR) L'invention concerne : une composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement qui permet une évaluation de performance précise d'un motif de réserve obtenu à partir d'un film de réserve épais ; un film sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement ; un procédé de formation de motif ; et un procédé de fabrication d'un dispositif électronique. Cette composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement contient une résine qui contient une unité de répétition ayant une chaîne alkylèneoxy et une unité de répétition ayant un groupe aromatique, et qui a une concentration de contenu solide de 10 % en masse ou plus. Ce procédé de formation de motif a (i) une étape de formation d'un film sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement ayant une épaisseur de film de 1 µm ou plus sur un substrat à l'aide d'une composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement qui contient une résine qui contient une unité de répétition ayant une chaîne alkylèneoxy.
(JA) 厚膜のレジスト膜から得られたレジストパターンの性能評価を正確に実施可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、アルキレンオキシ鎖を有する繰り返し単位と、芳香族基を有する繰り返し単位とを有する樹脂を含有し、固形分濃度が１０質量％以上である。パターン形成方法は、（ｉ）アルキレンオキシ鎖を有する繰り返し単位を有する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって基板上に膜厚が１μｍ以上の感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程を有する。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)