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1. (WO2018040475) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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№ de pub.: WO/2018/040475 № do pedido internacional: PCT/CN2017/070829
Data de publicação: 08.03.2018 Data de depósito internacional: 11.01.2017
CIP:
H01L 21/28 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
28
Fabricação de eletrodos em corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/268155
Requerentes:
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventores:
石龙强 SHI, Longqiang; CN
Mandatário:
北京聿宏知识产权代理有限公司 YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国北京市 西城区宣武门外大街6号庄胜广场第一座西翼713室吴大建/王浩 WU Dajian/WANG Hao West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052, CN
Dados da prioridade:
201610793911.331.08.2016CN
Título (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种薄膜晶体管及其制造方法
Resumo:
(EN) Provided are a thin film transistor and a manufacturing method therefor. A source electrode and a drain electrode of the thin film transistor respectively have a first metal layer (13), a second metal layer (12) and a third metal layer (11), wherein the first metal layer (13) is in contact with an indium gallium zinc oxide layer (4), and a metal diffusion layer (8) is arranged at the contact surface. The method for manufacturing the thin film transistor comprises performing sequential deposition to obtain a first metal layer (13), a second metal layer (12), a third metal layer (11), and then a PV layer (10), subjecting the PV layer (10) to a high temperature annealing treatment so that the metal in the first metal layer (13) diffuses into the indium gallium zinc oxide layer (4) to form a metal diffusion layer (8), the metal diffusion layer (8) allowing the first metal layer (13) and the indium gallium zinc oxide layer (4) to form an ohmic contact to reduce the contact resistance between the source electrode, the drain electrode and the indium gallium zinc oxide layer (4).
(FR) L’invention concerne un transistor à couche mince et son procédé de fabrication. Une électrode de source et une électrode de drain du transistor à couche mince comportent respectivement une première couche métallique (13), une deuxième couche métallique (12) et une troisième couche métallique (11), la première couche métallique (13) étant en contact avec une couche d'oxyde de zinc-indium-gallium (4), et une couche de diffusion métallique (8) étant disposée au niveau de la surface de contact. Le procédé de fabrication du transistor à couche mince comprend la réalisation d'un dépôt séquentiel pour obtenir une première couche métallique (13), une deuxième couche métallique (12), une troisième couche métallique (11), puis une couche PV (10), soumettre la couche PV (10) à un traitement de recuit à haute température de sorte que le métal dans la première couche métallique (13) se diffuse dans la couche d'oxyde de zinc-indium-gallium (4) pour former une couche de diffusion métallique (8), la couche de diffusion métallique (8) permettant à la première couche métallique (13) et la couche d'oxyde de zinc-indium-gallium (4) de former un contact ohmique pour réduire la résistance de contact entre l'électrode de source, l'électrode de drain et la couche d'oxyde de zinc-indium-gallium (4).
(ZH) 一种薄膜晶体管及其制造方法,所述薄膜晶体管的源极和漏极分别具有第一金属层(13)、第二金属层(12)、第三金属层(11),第一金属层(13)与铟镓锌氧化物层(4)相接触,并在接触面处设置有金属扩散层(8)。该薄膜晶体管的制造方法,依次沉积得到第一金属层(13)、第二金属层(12)、第三金属层(11),然后得到PV层(10),对PV层(10)进行高温退火处理,使得第一金属层(13)中的金属扩散到铟镓锌氧化物层(4)形成金属扩散层(8),该金属扩散层(8)使得第一金属层(13)和铟镓锌氧化物层(4)形成欧姆接触,降低源极、漏极与铟镓锌氧化物层(4)的接触电阻。
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Língua de publicação: chinês (ZH)
Língua de depósito: chinês (ZH)