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1. (WO2018037302) DOPED BISMUTH OXIDE THIN FILMS, ELECTROCHEMICAL DEVICES, METHODS OF MAKING, AND USE THEREOF
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№ de pub.: WO/2018/037302 № do pedido internacional: PCT/IB2017/054674
Data de publicação: 01.03.2018 Data de depósito internacional: 31.07.2017
CIP:
H01M 8/1246 (2016.01) ,H01M 8/249 (2016.01)
[IPC code unknown for H01M 8/1246][IPC code unknown for H01M 8/249]
Requerentes:
KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [SA/SA]; 4700 King Abdullah University of Science and Technology Thuwal, 23955-6900, SA
Inventores:
CAVAZOS SEPÚLVEDA, Adrián César; SA
Dados da prioridade:
62/379,78526.08.2016US
Título (EN) DOPED BISMUTH OXIDE THIN FILMS, ELECTROCHEMICAL DEVICES, METHODS OF MAKING, AND USE THEREOF
(FR) FILMS MINCES D'OXYDE DE BISMUTH DOPÉS, DISPOSITIFS ÉLECTROCHIMIQUES, PROCÉDÉS DE FABRICATION ET D'UTILISATION DE CEUX-CI
Resumo:
(EN) Embodiments of the present disclosure provide for electrochemical devices, methods of converting chemical energy to electrical energy, and the like.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention concernent des dispositifs électrochimiques, des procédés de conversion d'énergie chimique en énergie électrique, et analogues.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)