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1. (WO2018026251) METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFER
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№ de pub.: WO/2018/026251 № do pedido internacional: PCT/KR2017/008515
Data de publicação: 08.02.2018 Data de depósito internacional: 07.08.2017
CIP:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 21/67 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
324
Tratamento térmico para modificar as propriedades de corpos semicondutores, p. ex., recozimento, sinterização
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
67
Aparelhos especialmente adaptados para manipulação de dispositivos semicondutores ou de dispositivos elétricos de estado sólido durante a fabricação ou tratamento dos mesmos; Aparelhos especialmente adaptados para manipulação de pastilhas ("wafers") durante a fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou dispositivos elétricos de estado sólido ou componentes
Requerentes:
무진전자 주식회사 MUJIN ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 서울시 영등포구 은행로 3 10층 10F 3, Eunhaeng-ro Yeongdeungpo-gu Seoul 07237, KR
Inventores:
이길광 LEE, Gil Gwang; KR
윤용혁 YOON, Yong Hyeock; KR
Mandatário:
안상정 AN, Sang Jeong; KR
Dados da prioridade:
10-2016-009995805.08.2016KR
Título (EN) METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE NETTOYAGE D'UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
(KO) 반도체 웨이퍼 세정 방법 및 장치
Resumo:
(EN) The present disclosure relates to a method for cleaning a semiconductor wafer, comprising the steps of: preparing a wafer; dry-cleaning the wafer; and wet-cleaning the wafer, wherein the wafer is heated during the step of wet-cleaning the wafer.
(FR) La présente invention concerne un procédé de nettoyage d'une tranche de semi-conducteur, comprenant les étapes consistant à : préparer une tranche ; nettoyer à sec la tranche ; et nettoyer par voie humide la tranche, la tranche étant chauffée pendant l'étape de nettoyage par voie humide de la tranche.
(KO) 본 개시는 반도체 웨이퍼 세정 방법에 있어서, 웨이퍼를 준비하는 단계; 웨이퍼를 건식 세정 하는 단계;그리고, 웨이퍼를 습식 세정 하는 단계;를 포함하며, 웨이퍼를 습식 세정 하는 단계;에서, 웨이퍼를 가열하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정방법에 관한 것이다.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: coreano (KO)
Língua de depósito: coreano (KO)