Algum conteúdo deste aplicativo está indisponível no momento.
Se esta situação persistir, por favor entre em contato conoscoFale conosco & Contato
1. (WO2018012143) IMAGING ELEMENT AND IMAGING DEVICE
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional    Submeter observação

№ de pub.: WO/2018/012143 № do pedido internacional: PCT/JP2017/020904
Data de publicação: 18.01.2018 Data de depósito internacional: 06.06.2017
CIP:
H04N 5/378 (2011.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H ELECTRICIDADE
04
TÉCNICA DE COMUNICAÇÃO ELÉTRICA
N
COMUNICAÇÃO DE IMAGENS, p. ex., TELEVISÃO
5
Detalhes de sistemas de televisão
30
Transformando a luz ou informação análoga em informação elétrica
335
usando sensores de imagem de estado sólido [SSIS]
369
Arquitetura SSIS; Circuitos associados
378
Circuitos de leitura, p. ex. circuitos de amostragem dupla correlacionada [CDS], amplificadores de saída ou conversores A/D
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
77
Manufatura ou tratamento de dispositivos constituídos de uma pluralidade de componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados dentro ou sobre um substrato comum
78
com divisão subsequente do substrato em dispositivos individuais múltiplos
82
para produzir dispositivos, p. ex.,circuitos integrados, cada um consistindo de uma pluralidade de componentes
822
sendo o substrato um semicondutor usando tecnologia de silício
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
02
incluindo componentes semicondutores adaptados à retificação, oscilação, amplificação, comutação e tendo pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície; incluindo elementos de circuito passivo integrado com pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície
04
sendo o substrato um corpo semicondutor
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
14
incluindo componentes semicondutores sensíveis às radiações infravermelhas, à luz, à radiação eletromagnética de comprimentos de onda mais curtos ou à radiação corpuscular e adaptado, tanto para a conversão da energia destas radiações em energia elétrica, como para o controle de energia elétrica por tais radiações
144
Dispositivos controlados por radiação
146
Estruturas de captadores de imagens
H ELECTRICIDADE
04
TÉCNICA DE COMUNICAÇÃO ELÉTRICA
N
COMUNICAÇÃO DE IMAGENS, p. ex., TELEVISÃO
5
Detalhes de sistemas de televisão
30
Transformando a luz ou informação análoga em informação elétrica
335
usando sensores de imagem de estado sólido [SSIS]
369
Arquitetura SSIS; Circuitos associados
H ELECTRICIDADE
04
TÉCNICA DE COMUNICAÇÃO ELÉTRICA
N
COMUNICAÇÃO DE IMAGENS, p. ex., TELEVISÃO
5
Detalhes de sistemas de televisão
30
Transformando a luz ou informação análoga em informação elétrica
335
usando sensores de imagem de estado sólido [SSIS]
369
Arquitetura SSIS; Circuitos associados
374
Sensores endereçados, p. ex. sensores MOS ou CMOS
Requerentes:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町4丁目14番1号 4-14-1 Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventores:
小田原 正起 ODAHARA, Masaki; JP
Mandatário:
丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu; JP
Dados da prioridade:
2016-13693711.07.2016JP
Título (EN) IMAGING ELEMENT AND IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT IMAGEUR ET DISPOSITIF IMAGEUR
(JA) 撮像素子および撮像装置
Resumo:
(EN) The present invention simplifies wiring of signal lines in an imaging element comprising two semiconductor chips. An imaging element is provided with a pixel chip and a circuit chip. The pixel chip is provided with a plurality of pixels each having a charge transfer part that transfers an electric charge generated in response to incident light to a charge holding part in accordance with a control signal, and a plurality of first control signal transmission parts that transmit the respective control signals to the respective charge transfer parts. The circuit chip is provided with a control signal generation part that generates the control signals for the charge transfer parts of each of the plurality of pixels, and a plurality of second control signal transmission parts that are each provided to correspond to the first control signal transmission part and transmit the respective generated control signals.
(FR) La présente invention simplifie le câblage de lignes de signal dans un élément imageur comprenant deux puces semi-conductrices. Un élément imageur comporte une puce de pixels et une puce de circuit. La puce de pixels comporte une pluralité de pixels comprenant chacun une partie de transfert de charges qui transfère une charge électrique générée en réponse à la lumière incidente sur une partie porteuse de charges selon un signal de commande, et une pluralité de premières parties d’émission de signaux de commande qui émettent les signaux de commande respectifs aux parties de transfert de charges respectives. La puce de circuit comporte une partie de génération de signaux de commande qui génère les signaux de commande pour les parties de transfert de charges de chaque pixel de la pluralité de pixels, et une pluralité de deuxièmes parties d’émission de signaux de commande qui sont chacune destinées à correspondre aux premières parties d’émission de signaux de commande et qui émettent les signaux de commande générés respectifs.
(JA) 2つの半導体チップにより構成された撮像素子において、信号線の配線を簡略化する。 撮像素子は、画素チップと回路チップとを具備する。画素チップは、入射光に応じて生成された電荷を制御信号に従って電荷保持部に転送する電荷転送部をそれぞれ有する複数の画素、および、前記電荷転送部のそれぞれに対する前記制御信号を伝達する複数の第1の制御信号伝達部を備える。回路チップは、前記複数の画素の電荷転送部のそれぞれに対する前記制御信号を生成する制御信号生成部、および、前記第1の制御信号伝達部にそれぞれ対応して設けられて前記生成された制御信号を伝達する複数の第2の制御信号伝達部を備える。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)