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1. (WO2017210534) HETERO-STRUCTURE-BASED INTEGRATED PHOTONIC DEVICES, METHODS AND APPLICATIONS
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№ de pub.: WO/2017/210534 № do pedido internacional: PCT/US2017/035646
Data de publicação: 07.12.2017 Data de depósito internacional: 02.06.2017
CIP:
H01S 5/02 (2006.01) ,H01S 5/22 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
02
Detalhes ou componentes estruturais não essenciais para a ação do laser
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
20
Estrutura ou formato do corpo do semicondutor para guiar a onda óptica
22
tendo uma estrutura de crista ou listra
Requerentes:
UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; 12201 Research Parkway, Suite 501 Orlando, FL 32826, US
Inventores:
FATHPOUR, Sasan; US
CHILES, Jeffrey; US
Mandatário:
NOTO, Joseph, M.; US
GREENER, William; US
NOCILLY, David, L.; US
MCGUIRE, George, R.; US
PRICE, Frederick, Jm; US
Dados da prioridade:
62/345,39303.06.2016US
Título (EN) HETERO-STRUCTURE-BASED INTEGRATED PHOTONIC DEVICES, METHODS AND APPLICATIONS
(FR) DISPOSITIFS PHOTONIQUES INTÉGRÉS BASÉS SUR UNE HÉTÉROSTRUCTURE, PROCÉDÉS ET APPLICATIONS
Resumo:
(EN) An integrated photonic structure and a method of fabrication are provided which includes: a substrate having at least one opening disposed therein; a semiconductor stack disposed above the substrate, the semiconductor stack being, at least in part, isolated from the underlying substrate by the at least one opening to define a suspended semiconductor membrane; and a first doped region and a second doped region located within the suspended semiconductor membrane, wherein the first doped region is laterally separated from the second doped region by an optically active region disposed therein that defines a waveguiding region of the integrated photonic structure.
(FR) L'invention concerne une structure photonique intégrée et un procédé de fabrication comprenant : un substrat présentant au moins une ouverture ménagée en son sein ; un empilement de semi-conducteurs ménagé au-dessus du substrat, l'empilement de semi-conducteurs étant, au moins en partie, isolé du substrat sous-jacent par ladite ouverture de façon à délimiter une membrane semi-conductrice suspendue ; et des première et seconde régions dopées situées à l'intérieur de la membrane semi-conductrice suspendue, la première région dopée étant séparée latéralement de la seconde région dopée par une région optiquement active ménagée en son sein qui délimite une région de guide d'ondes de la structure photonique intégrée.
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Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)