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1. (WO2017148608) METHOD FOR CHARACTERIZING SEMICONDUCTOR MATERIALS
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№ de pub.: WO/2017/148608 № do pedido internacional: PCT/EP2017/050945
Data de publicação: 08.09.2017 Data de depósito internacional: 18.01.2017
Pedido de exame (capítulo 2) depositado: 21.12.2017
CIP:
C30B 25/16 (2006.01) ,C30B 29/40 (2006.01) ,C30B 29/46 (2006.01) ,H01L 21/00 (2006.01)
C QUÍMICA; METALURGIA
30
CRESCIMENTO DE CRISTAIS
B
CRESCIMENTO DE MONOCRISTAIS; SOLIDIFICAÇÃO UNIDIRECIONAL DE MATERIAIS EUTÉTICOS OU DESMIXAGEM UNIDIRECIONAL DE MATERIAIS EUTETÓIDES; REFINO POR FUSÃO ZONAL DE MATERIAL; PRODUÇÃO DE UM MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; MONOCRISTAIS OU MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; PÓS-TRATAMENTO DE MONOCRISTAIS OU DE UM MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; APARELHOS PARA ESSE FIM
25
Crescimento de monocristais por reação química de gases reativos, p. ex., crescimento químico por depósito de vapores
02
Crescimento de camadas epitaxiais
16
Controle ou regulagem
C QUÍMICA; METALURGIA
30
CRESCIMENTO DE CRISTAIS
B
CRESCIMENTO DE MONOCRISTAIS; SOLIDIFICAÇÃO UNIDIRECIONAL DE MATERIAIS EUTÉTICOS OU DESMIXAGEM UNIDIRECIONAL DE MATERIAIS EUTETÓIDES; REFINO POR FUSÃO ZONAL DE MATERIAL; PRODUÇÃO DE UM MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; MONOCRISTAIS OU MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; PÓS-TRATAMENTO DE MONOCRISTAIS OU DE UM MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; APARELHOS PARA ESSE FIM
29
Monocristais ou material policristalino homogêneo com estrutura definida caracterizados pelo material ou por seus formatos
10
Compostos ou composições inorgânicas
40
Compostos AIIIBV
C QUÍMICA; METALURGIA
30
CRESCIMENTO DE CRISTAIS
B
CRESCIMENTO DE MONOCRISTAIS; SOLIDIFICAÇÃO UNIDIRECIONAL DE MATERIAIS EUTÉTICOS OU DESMIXAGEM UNIDIRECIONAL DE MATERIAIS EUTETÓIDES; REFINO POR FUSÃO ZONAL DE MATERIAL; PRODUÇÃO DE UM MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; MONOCRISTAIS OU MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; PÓS-TRATAMENTO DE MONOCRISTAIS OU DE UM MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; APARELHOS PARA ESSE FIM
29
Monocristais ou material policristalino homogêneo com estrutura definida caracterizados pelo material ou por seus formatos
10
Compostos ou composições inorgânicas
46
Compostos contendo enxofre, selênio ou telúrio
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
Requerentes:
NASP III/V GMBH [DE/DE]; Am Knechtacker 19 35041 Marburg, DE
Inventores:
VOLK, Michael; DE
Mandatário:
RICHARDT PATENTANWÄLTE PARTG MBB; Wilhelmstraße 7 65185 Wiesbaden, DE
Dados da prioridade:
10 2016 203 298.401.03.2016DE
Título (EN) METHOD FOR CHARACTERIZING SEMICONDUCTOR MATERIALS
(FR) PROCÉDÉ DE CARACTÉRISATION DE MATÉRIAUX SEMICONDUCTEURS
(DE) VERFAHREN ZUR CHARAKTERISIERUNG VON HALBLEITERMATERIALIEN
Resumo:
(EN) The invention relates to a method for characterizing semiconductor materials during the growing of a desired mixed crystal (101) of a compound semiconductor on a substrate (100) with a predefined growth rate, the method including the determining of the material composition of the desired mixed crystal (101) by measuring the change in the curvature of the substrate over time during growing, wherein the proportion of the components in the desired mixed crystal (101) is determined from the change in curvature over time.
(FR) L'invention concerne un procédé de caractérisation de matériaux semiconducteurs durant la croissance d'un cristal mixte (101) souhaité d'un semiconducteur composé sur un substrat (100) avec un taux de croissance prédéfini, ledit procédé comprenant une détermination de la composition du cristal mixte (101) souhaité par la mesure de la variation dans le temps de la courbure du substrat durant la croissance, la proportion des constituants dans le cristal mixte (101) souhaité étant déterminée à partir de la variation dans le temps de ladite courbure.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Charakterisierung von Halbleitermaterialien während dem Aufwachsen eines gewünschten Mischkristalls (101) eines Verbindungshalbleiters auf ein Substrat (100) mit einer vorgegebenen Wachstumsrate, wobei das Verfahren eine Bestimmung der Materialzusammensetzung des gewünschten Mischkristalls (101) durch Messen der zeitlichen Änderung der Krümmung des Substrats während dem Aufwachsen umfasst, wobei aus der zeitlichen Änderung der Krümmung der Anteil der Komponenten im gewünschten Mischkristall (101) bestimmt wird.
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Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: alemão (DE)
Língua de depósito: alemão (DE)