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1. (WO2017002854) GAS SENSOR AND METHOD FOR USING SAME
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/2017/002854 № do pedido internacional: PCT/JP2016/069267
Data de publicação: 05.01.2017 Data de depósito internacional: 29.06.2016
CIP:
G01N 27/00 (2006.01)
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
27
Investigação ou análise de materiais pelo uso de meios elétricos, eletroquímicos, ou magnéticos
Requerentes:
富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP
Inventores:
原田 直樹 HARADA, Naoki; JP
佐藤 信太郎 SATO, Shintaro; JP
林 賢二郎 HAYASHI, Kenjiro; JP
山口 淳一 YAMAGUCHI, Junichi; JP
Mandatário:
國分 孝悦 KOKUBUN, Takayoshi; JP
Dados da prioridade:
2015-13122930.06.2015JP
Título (EN) GAS SENSOR AND METHOD FOR USING SAME
(FR) CAPTEUR DE GAZ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ガスセンサ及びその使用方法
Resumo:
(EN) The present invention includes: semiconductor layers (101-103); a graphene film (105) that is provided above the semiconductor layers (101-103), at least a section thereof coming into contact with a gas; and a barrier film (104) between the semiconductor layers (101-103) and the graphene film (105).
(FR) La présente invention comprend : des couches à semi-conducteur (101-103) ; un film de graphène (105) qui est prévu au-dessus des couches à semi-conducteur (101-103), au moins une section de celui-ci venant en contact avec un gaz ; et un film barrière (104) entre les couches à semi-conducteur (101-103) et le film de graphène (105).
(JA) 半導体層(101~103)と、半導体層(101~103)上方に設けられ、少なくとも一部が気体に接するグラフェン膜(105)と、半導体層(101~103)とグラフェン膜(105)との間のバリア膜(104)と、が含まれる。
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Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)
Também publicado como:
CN107709979US20180136157