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1. (WO2017002564) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional   

№ de pub.: WO/2017/002564 № do pedido internacional: PCT/JP2016/067108
Data de publicação: 05.01.2017 Data de depósito internacional: 08.06.2016
CIP:
C23C 14/02 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
14
Revestimento por evaporação a vácuo, por pulverização catódica ou por implantação de ions do material
02
Pré-tratamento do material a ser revestido
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
H
TÉCNICA DO PLASMA; PRODUÇÃO DE PARTÍCULAS ACELERADAS CARREGADAS ELETRICAMENTE OU DE NÊUTRONS; PRODUÇÃO OU ACELERAÇÃO DE FEIXES MOLECULARES OU ATÔMICOS NEUTROS
1
Produção do plasma; Manipulação do plasma
24
Produção do plasma
46
usando campos eletromagnéticos aplicados, p. ex., energia de alta frequência ou de micro-onda
Requerentes:
株式会社 アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
Inventores:
藤長 徹志 FUJINAGA, Tetsushi; JP
井堀 敦仁 IHORI, Atsuhito; JP
松本 昌弘 MATSUMOTO, Masahiro; JP
谷 典明 TANI, Noriaki; JP
岩井 治憲 IWAI, Harunori; JP
岩田 賢二 IWATA, Kenji; JP
佐藤 良直 SATO, Yoshinao; JP
Mandatário:
恩田 誠 ONDA, Makoto; JP
Dados da prioridade:
2015-12970029.06.2015JP
Título (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
Resumo:
(EN) Provided is a substrate processing device comprising an anode unit (17) that includes a first plate (23) and a second plate (24). The first plate (23) includes a plurality of first through-holes (23a), and by causing a gas to flow through the first through-holes, causes the gas to diffuse in the direction of the surface of the first plate (23). The second plate (24) includes a plurality of second through-holes (24a) that are larger than the first through-holes (23a). The second plate (24) causes the gas that has passed through the first through-holes (23a) to flow between the second plate (24) and a cathode stage through the plurality of second through-holes (24a). The second through-holes (24a) have a shape such that the emission intensity of plasma inside each second through-hole can be made higher than the emission intensity of plasma generated between the second plate (24) and the cathode stage.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat comprenant une unité d'anode (17) qui comprend une première plaque (23) et une deuxième plaque (24). La première plaque (23) comprend une pluralité de premiers trous traversants (23a), et en amenant un gaz à s'écouler à travers les premiers trous traversants, amène le gaz à diffuser dans la direction de la surface de la première plaque (23). La deuxième plaque (24) comprend une pluralité de deuxièmes trous traversants (24a) qui sont plus grands que les premiers trous traversants (23a). La deuxième plaque (24) amène le gaz qui a traversé les premiers trous traversants (23a) à s'écouler entre la deuxième plaque (24) et un étage de cathode à travers la pluralité de deuxièmes trous traversants (24a). Les deuxièmes trous traversants (24a) ont une forme telle que l'intensité d'émission de plasma à l'intérieur de chaque deuxième trou traversant puisse être rendue supérieure à l'intensité d'émission de plasma générée entre la deuxième plaque (24) et l’étage de cathode.
(JA) 基板処理装置は、第1プレート(23)と第2プレート(24)とを含むアノードユニット(17)を備える。第1プレート(23)は複数の第1貫通孔(23a)を含み、第1貫通孔を通じてガスを流すことによって、ガスを第1プレート(23)の面方向へ拡散させる。第2プレート(24)は、第1貫通孔(23a)よりも大きい複数の第2貫通孔(24a)を含む。第2プレート(24)は、第1貫通孔(23a)を通過したガスを、複数の第2貫通孔(24a)を通じて第2プレート(24)とカソードステージとの間に流す。第2貫通孔(24a)は、各第2貫通孔の内部におけるプラズマの発光強度が、第2プレート(24)とカソードステージとの間に生成されるプラズマの発光強度よりも高められる形状を有している。
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Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)