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1. (WO2017002445) SPUTTERING TARGET ASSEMBLY
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/2017/002445 № do pedido internacional: PCT/JP2016/063552
Data de publicação: 05.01.2017 Data de depósito internacional: 02.05.2016
CIP:
C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/203 (2006.01)
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
14
Revestimento por evaporação a vácuo, por pulverização catódica ou por implantação de ions do material
22
caracterizado pelo processo de revestimento
34
Pulverização catódica
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
20
Depósito de materiais semicondutores em uma base, p. ex., crescimento epitaxial
203
usando deposição física, p. ex., deposição a vácuo, pulverização
Requerentes:
株式会社コベルコ科研 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. [JP/JP]; 兵庫県神戸市中央区脇浜海岸通1丁目5番1号 1-5-1, Wakinohama-kaigan-dori, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6510073, JP
Inventores:
高木 勝寿 TAKAGI, Katsutoshi; --
金丸 守賀 KANAMARU, Moriyoshi; --
廣瀬 研太 HIROSE, Kenta; --
岩崎 祐紀 IWASAKI, Yuki; --
Mandatário:
鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
Dados da prioridade:
2015-13096930.06.2015JP
Título (EN) SPUTTERING TARGET ASSEMBLY
(FR) ENSEMBLE DE CIBLES DE PULVÉRISATION
(JA) スパッタリングターゲット組立体
Resumo:
(EN) Provided is a sputtering target assembly that includes a plurality of mounting sections which are disposed on a backing plate, which are disposed with a gap therebetween, and on each of which one or more sputtering target members are disposed via a bonding material. The sputtering target assembly has a Ni base material coating in gaps between the adjacent mounting sections.
(FR) L'invention concerne un ensemble de cibles de pulvérisation qui comprend une pluralité de sections de montage qui sont disposées sur une plaque de support, qui sont ménagées en laissant un espace entre elles, et sur chacune desquelles un ou plusieurs éléments formant cibles de pulvérisation sont disposés via un matériau de liaison. L'ensemble de cibles de pulvérisation comporte un revêtement dans une matière à base de Ni dans les espaces entre les sections de montage adjacentes.
(JA) バッキングプレート上に配置された複数の載置部であって、互いに間隔を空けて配置され、それぞれの上にボンディング材を介して、1つ以上のスパッタリングターゲット部材が配置された複数の載置部を含み、隣り合う前記載置部の間の隙間部にNi基材料のコーティングを有するスパッタリングターゲット組立体である。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)
Também publicado como:
CN107636194KR1020180012310