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1. (WO2016091314) ELECTROSTATIC BIPRISM
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/2016/091314 № do pedido internacional: PCT/EP2014/077393
Data de publicação: 16.06.2016 Data de depósito internacional: 11.12.2014
Pedido de exame (capítulo 2) depositado: 04.10.2016
CIP:
H01J 37/04 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
J
VÁLVULAS DE DESCARGA ELÉTRICA OU LÂMPADAS DE DESCARGA
37
Válvulas de descarga com meios para introduzir objetos ou materiais a serem expostos à descarga, p. ex., para fins de exame ou processamento dos mesmos
02
Detalhes
04
Disposições de eletrodos e elementos associados para produzir ou controlar a descarga, p. ex., disposição óptico-eletrônica, disposição óptico-iônica
Requerentes:
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Leo-Brandt-Straße 52425 Jülich, DE
COMMISSARIAT À L'ÈNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 17, rue des Martyrs F-38054 Grenoble cedex 9, FR
Inventores:
DUCHAMP, Martial; DE
DUNIN-BORKOWSKI, Rafal Edward; DE
GIRARD, Olivier; FR
COOPER, David; FR
Mandatário:
JOSTARNDT PATENTANWALTS-AG; Philipsstraße 8 52068 Aachen, DE
Dados da prioridade:
Título (EN) ELECTROSTATIC BIPRISM
(FR) BIPRISME ÉLECTROSTATIQUE
Resumo:
(EN) The invention relates to an electrostatic biprism comprising a multilayer with a freestanding electrode, being preferably a multi-biprism, the method for preparing said electrostatic biprism and the use of said biprism within an electron beam device. The invention further relates to a microscope, an interferometer or an electron beam device comprising said electrostatic biprism.
(FR) La présente invention concerne un biprisme électrostatique comportant une multicouche avec une électrode autoportante, étant de préférence un double multi-prisme, le procédé pour la préparation dudit biprisme électrostatique et l'utilisation dudit biprisme à l'intérieur d'un dispositif à faisceau d'électrons. L'invention concerne en outre un microscope, un interféromètre ou un dispositif à faisceau d'électrons comprenant ledit biprisme électrostatique.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Inglês (EN)
Língua de depósito: Inglês (EN)